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SB160 데이터시트 PDF




LGE에서 제조한 전자 부품 SB160은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SB160 자료 제공

부품번호 SB160 기능
기능 Schottky Barrier Rectifiers
제조업체 LGE
로고 LGE 로고


SB160 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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SB160 데이터시트, 핀배열, 회로
Features
xxxx
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop,low switching losses
High surge capability
For use in low voltage,high frequency inverters free
wheeling,and polarity protection applications
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
Mechanical Data
Case:JEDEC DO--41,molded plastic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.012 ounces,0.34 grams
Mounting position: Any
SB120-SB1A0
Schottky Barrier Rectifiers
VOLTAGE RANGE: 20 --- 100 V
CURRENT: 1.0 A
DO - 41
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
9.5mm lead length,
(see fig.1)
Peak forward surge current
8.3ms single half-sine-wave
superimposed on rated load @TJ=125
Maximum instantaneous forward voltage
@ 1.0A
VRRM
VRMS
VDC
IF(AV)
SB
120
SB
130
SB
140
SB
150
SB
160
SB
170
SB
180
SB
190
SB
1A0
UNITS
20 30 40 50 60 70 80 90 100 V
14 21 28 35 42 49 56 63 70 V
20 30 40 50 60 70 80 90 100 V
1.0 A
IFSM
40.0
A
VF 0.5
0.7
0.85 V
Maximum reverse current
@TA=25
at rated DC blocking voltage @TA=100
IR
Typical junction capacitance (Note1)
CJ
Typical thermal resistance (Note2)
RθJA
Operating junction temperature range
TJ
Storage temperature range
TSTG
NOTE: 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermalresistance junction to ambient
10.0
110
- 55 --- + 125
0.5
5.0
80
50
- 55 --- + 150
- 55 --- + 150
mA
pF
/W
http://www.luguang.cn





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