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35N60C3 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 35N60C3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 35N60C3 자료 제공

부품번호 35N60C3 기능
기능 SPW35N60C3
제조업체 Infineon
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35N60C3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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35N60C3 데이터시트, 핀배열, 회로
CoolMOSTM Power Transistor
Features
• New revolutionary high voltage technology
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv /dt rated
• Ultra low effective capacitances
• Improved transconductance
Product Summary
V DS @ T j,max
R DS(on),max
ID
SPW35N60C3
650 V
0.1
34.6 A
PG-TO247
Type
SPW35N60C3
Package
PG-TO247
Ordering Code
Q67040-S4673
Marking
35N60C3
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
Pulsed drain current1)
Avalanche energy, single pulse
Avalanche
energy,
repetitive
t
1),2)
AR
Avalanche
current,
repetitive
t
1)
AR
Symbol Conditions
I D T C=25 °C
T C=100 °C
I D,pulse T C=25 °C
E AS I D=17.3 A, V DD=50 V
E AR I D=34.6 A, V DD=50 V
I AR
Drain source voltage slope
dv /dt
I D=34.6 A,
V DS=480 V, T j=125 °C
Value
34.6
21.9
103.8
1500
1.5
34.6
50
Unit
A
mJ
A
V/ns
Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
Reverse diode dv/dt 6)
V GS static
V GS AC (f >1 Hz)
P tot T C=25 °C
T j, T stg
dv/dt
±20
±30
313
-55 ... 150
15
V
W
°C
V/ns
Rev. 2.5
Page 1
2008-02-11
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35N60C3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Parameter
Reverse Diode
Diode continuous forward current
Diode pulse current
Diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
Symbol Conditions
IS
I S,pulse
V SD
t rr
Q rr
I rrm
T C=25 °C
V GS=0 V, I F=34.6 A,
T j=25 °C
V R=480 V, I F=I S,
di F/dt =100 A/µs
SPW35N60C3
min.
Values
typ.
Unit
max.
- - 34.6 A
- - 103.8
- 0.95 1.2 V
- 600 - ns
- 21 - µC
- 90 - A
Typical Transient Thermal Characteristics
Symbol Value
Unit Symbol
typ.
R th1
R th2
R th3
R th4
R th5
0.00441
0.00608
0.0341
0.0602
0.0884
K/W
C th1
C th2
C th3
C th4
C th5
C th6
Value
typ.
0.00037
0.00223
0.00315
0.0179
0.098
4.45)
Unit
Ws/K
5) C th6 models the additional heat capacitance of the package in case of non-ideal cooling. It is not needed if
R thCA=0 K/W.
Rev. 2.5
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2008-02-11
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35N60C3 전자부품, 판매, 대치품
9 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=34.6 A pulsed
parameter: V DD
12
SPW35N60C3
10 Forward characteristics of reverse diode
I F=f(V SD)
parameter: T j
103
10
8
120 V
480 V
6
25 °C
25 °C, 98%
102 150 °C, 98%
150 °C
101
4
100
2
0
0 50
11 Avalanche SOA
I AR=f(t AR)
parameter: T j(start)
40
100
Q gate [nC]
150
10-1
200 0 0.5 1 1.5 2 2.5
V SD [V]
12 Avalanche energy
E AS=f(T j); I D=17.3 A; V DD=50 V
1600
30 1200
20 800
125 °C
25 °C
10 400
0
10-3
10-2
10-1
100
101
102
103
t AR [µs]
0
20 60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 2.5
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