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5SNE0800E330100 데이터시트 PDF




ABB에서 제조한 전자 부품 5SNE0800E330100은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 5SNE0800E330100 자료 제공

부품번호 5SNE0800E330100 기능
기능 IGBT Module
제조업체 ABB
로고 ABB 로고


5SNE0800E330100 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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5SNE0800E330100 데이터시트, 핀배열, 회로
VCE =
IC =
3300 V
800 A
ABB HiPakTM
IGBT Module
5SNE 0800E330100
PRELIMINARY
Low-loss, rugged SPT chip-set
Smooth switching SPT chip-set for
good EMC
Industry standard package
High power density
AlSiC base-plate for high power
cycling capability
AlN substrate for low thermal
resistance
Doc. No. 5SYA1562-01 July 07
Maximum rated values 1)
Parameter
Symbol Conditions
min max Unit
Collector-emitter voltage
VCES VGE = 0 V, Tvj 25 °C
DC collector current
IC Tc = 80 °C
Peak collector current
ICM tp = 1 ms, Tc = 80 °C
Gate-emitter voltage
VGES
-20
Total power dissipation
Ptot Tc = 25 °C, per switch (IGBT)
DC forward current
IF Either diode
Peak forward current
Surge current
IGBT short circuit SOA
IFRM
IFSM
VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp = 10 ms, half-sinewave, either diode
tpsc
VCC = 2500 V, VCEMCHIP 3300 V
VGE 15 V, Tvj 125 °C
Isolation voltage
Visol t = 1 min, f = 50 Hz
Junction temperature
Tvj
Junction operating temperature Tvj(op)
-40
Case temperature
Tc
-40
Storage temperature
Tstg
-40
Ms Base-heatsink, M6 screws
4
Mounting torques 2)
Mt1 Main terminals, M8 screws
8
Mt2 Auxiliary terminals, M4 screws
2
1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur per IEC 60747
2) For detailed mounting instructions refer to ABB Document No. 5SYA2039
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
3300
800
1600
20
7700
800
1600
8000
V
A
A
V
W
A
A
A
10 µs
6000
150
125
125
125
6
10
3
V
°C
°C
°C
°C
Nm




5SNE0800E330100 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical configuration
Outline drawing 2)
5SNE 0800E330100
Note: all dimensions are shown in mm
2) For detailed mounting instructions refer to ABB Document No. 5SYA2039
This is an electrostatic sensitive device, please observe the international standard IEC 60747-1, chap. IX.
This product has been designed and qualified for Industrial Level.
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
Doc. No. 5SYA1562-01 July 07
page 4 of 9

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5SNE0800E330100 전자부품, 판매, 대치품
5SNE 0800E330100
1000
100
10
Cies
Coes
Cres
VGE = 0V
fOSC = 1 MHz
VOSC = 50 mV
1
0 5 10 15 20 25 30 35
VCE [V]
Fig. 9 Typical capacitances
vs collector-emitter voltage
20
15
VCC = 1800 V
VCC = 2500 V
10
5
IC = 800 A
Tvj = 25 °C
0
012345678
Qg [µC]
Fig. 10 Typical gate charge characteristics
2.5
VCC 2500 V, Tvj = 125 °C
VGE = ±15 V, RG = 2.2 ohm
2
1.5
1
0.5
Chip
Module
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
VCE [V]
Fig. 11 Turn-off safe operating area (RBSOA)
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
Doc. No. 5SYA1562-01 July 07
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