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5SNE0800M170100 데이터시트 PDF




ABB에서 제조한 전자 부품 5SNE0800M170100은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 5SNE0800M170100 자료 제공

부품번호 5SNE0800M170100 기능
기능 IGBT Module
제조업체 ABB
로고 ABB 로고


5SNE0800M170100 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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5SNE0800M170100 데이터시트, 핀배열, 회로
VCE =
IC =
1700 V
800 A
ABB HiPakTM
IGBT Module
5SNE 0800M170100
Low-loss, rugged SPT chip-set
Smooth switching SPT chip-set for
good EMC
Industry standard package
High power density
AlSiC base-plate for high power
cycling capability
AlN substrate for low thermal
resistance
Doc. No. 5SYA1590-00 Oct 06
Maximum rated values 1)
Parameter
Symbol Conditions
min
Collector-emitter voltage
VCES VGE = 0 V, Tvj 25 °C
DC collector current
IC Tc = 80 °C
Peak collector current
ICM tp = 1 ms, Tc = 80 °C
Gate-emitter voltage
VGES
-20
Total power dissipation
Ptot Tc = 25 °C, per switch (IGBT)
DC forward current
IF
Peak forward current
Surge current
IGBT short circuit SOA
IFRM
IFSM
VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp = 10 ms, half-sinewave
tpsc
VCC = 1200 V, VCEMCHIP 1700 V
VGE 15 V, Tvj 125 °C
Isolation voltage
Visol 1 min, f = 50 Hz
Junction temperature
Tvj
Junction operating temperature Tvj(op)
-40
Case temperature
Tc
-40
Storage temperature
Tstg
-40
Mounting torques 2)
Ms Base-heatsink, M6 screws
Mt1 Main terminals, M8 screws
4
8
Mt2 Auxiliary terminals, M4 screws
2
1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur per IEC 60747
2) For detailed mounting instructions refer to ABB document no. 5SYA 2039 - 01
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
max
1700
800
1600
20
4800
800
1600
6600
10
4000
150
125
125
125
6
10
3
Unit
V
A
A
V
W
A
A
A
µs
V
°C
°C
°C
°C
Nm




5SNE0800M170100 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical configuration
Outline drawing 2)
Leg 1
E1
E1
Leg 2
C2
G1
C1
C1 E2
5SNE 0800M170100
E1
C1
E1
G1
C1
C2
E2
Note: all dimensions are shown in mm
2) For detailed mounting instructions refer to ABB document no. 5SYA 2039 - 01
This is an electrostatic sensitive device, please observe the international standard IEC 60747-1, chap. IX.
This product has been designed and qualified for industrial level.
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
Doc. No. 5SYA1590-00 Oct 06
page 4 of 9

4페이지










5SNE0800M170100 전자부품, 판매, 대치품
5SNE 0800M170100
100
Cies
10
Coes
20
VCC = 900 V
15
VCC = 1300 V
10
Cres
VGE = 0V
fOSC = 1 MHz
VOSC = 50 mV
1
0 5 10 15 20 25 30 35
VCE [V]
Fig. 9 Typical capacitances
vs collector-emitter voltage
5
IC = 800 A
Tvj = 25 °C
0
0123456
Qg [µC]
Fig. 10 Typical gate charge characteristics
2.5
VCC 1200 V, Tvj = 125 °C
VGE = ±15 V, RG = 1.8 ohm
2
1.5
1
0.5
0
0
Chip
Module
500
1000
VCE [V]
1500
2000
Fig. 11 Turn-off safe operating area (RBSOA)
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
Doc. No. 5SYA1590-00 Oct 06
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