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IXYR100N120C3 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXYR100N120C3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXYR100N120C3 자료 제공

부품번호 IXYR100N120C3 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXYR100N120C3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXYR100N120C3 데이터시트, 핀배열, 회로
1200V XPTTM IGBT
GenX3TM
(Electrically Isolated Tab)
High-Speed IGBT
for 20-50 kHz Switching
IXYR100N120C3
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
VISOL
FC
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ
Continuous
Transient
TC = 25°C (Chip Capability)
TC = 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1Ω
Clamped Inductive Load
TC = 25°C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
50/60 Hz, 1 Minute
Mounting Force
Maximum Ratings
1200
1200
V
V
±20 V
±30 V
104 A
58 A
480 A
50 A
1.2 J
ICM = 200
@VCE VCES
484
A
W
-55 ... +175
175
-55 ... +175
°C
°C
°C
300 °C
260 °C
2500
V~
20..120/4.5..27
5
N/lb.
g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250μA, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250μA, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150°C
IGES VCE = 0V, VGE = ±20V
VCE(sat)
IC
=
100A,
VGE
=
15V,
Note
1
TJ
=
150°C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1200
V
3.0 5.0 V
25 μA
1.25 mA
±100 nA
2.9 3.5 V
4.1 V
VCES
IC110
VCE(sat)
tfi(typ)
=
=
=
1200V
58A
3.5V
110ns
ISOPLUS247TM
G
CE
Isolated Tab
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
Features
z Optimized for Low Switching Losses
z Square RBSOA
z Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
z Isolated Mounting Surface
z 2500V~ Electrical Isolation
z Positive Thermal Coefficient of
Vce(sat)
z Avalanche Rated
z High Current Handling Capability
Advantages
z High Power Density
z Low Gate Drive Requirement
Applications
z High Frequency Power Inverters
z UPS
z Motor Drives
z SMPS
z PFC Circuits
z Battery Chargers
z Welding Machines
z Lamp Ballasts
© 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100406B(03/13)




IXYR100N120C3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXYR100N120C3
Fig. 7. Transconductance
90
80 TJ = - 40ºC
70
25ºC
60
125ºC
50
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
IC - Amperes
16
14 VCE = 600V
I C = 100A
12 I G = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 40 80 120 160 200 240 280
QG - NanoCoulombs
100,000
f = 1 MHz
10,000
Fig. 9. Capacitance
Cies
1,000
100
10
0
Coes
Cres
5 10 15 20 25 30 35 40
VCE - Volts
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
220
200
180
160
140
120
100
80
60
TJ = 150ºC
40 RG = 1
20 dv / dt < 10V / ns
0
200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300
VCE - Volts
1
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
0.4
aaaaaa
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

4페이지












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