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AP2R803GS-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP2R803GS-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AP2R803GS-HF 자료 제공

부품번호 AP2R803GS-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP2R803GS-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP2R803GS-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP2R803GS-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Low On-resistance
D
Simple Drive Requirement
Fast Switching Characteristic
G
RoHS Compliant & Halogen-Free
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the
best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
resistance and cost-effectiveness.
The TO-263 package is widely preferred for all commercial-industrial
surface mount applications using infrared reflow technique and suited for
high current application due to the low connection resistance.
BVDSS
RDS(ON)
ID
G DS
30V
2.8m
80A
TO-263(S)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current4
Continuous Drain Current4
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
TSTG
TJ
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
30
+20
80
80
300
104
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3
Data & specifications subject to change without notice
Value
1.2
40
Units
/W
/W
1
201210121




AP2R803GS-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP2R803GS-HF
10
I D =30A
8
V DS =15V
V DS =18V
6 V DS =24V
4
2
0
0 10 20 30 40 50
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
1000
100 100us
10
T C =25 o C
Single Pulse
1ms
10ms
100ms
DC
1
0.1 1 10 100
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
f=1.0MHz
4000
3000
C iss
2000
1000
C oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
PDM
t
T
Duty Factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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