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부품번호 | AP2R803GS-HF 기능 |
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기능 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | ||
제조업체 | Advanced Power Electronics | ||
로고 | |||
Advanced Power
Electronics Corp.
AP2R803GS-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
▼ Low On-resistance
D
▼ Simple Drive Requirement
▼ Fast Switching Characteristic
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
S
Description
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the
best combination of fast switching, ruggedized device design, low □on-
resistance and cost-effectiveness.
The TO-263 package is widely preferred for all commercial-industrial
surface mount applications using infrared reflow technique and suited for
high current application due to the low connection resistance.
BVDSS
RDS(ON)
ID
G DS
30V
2.8mΩ
80A
TO-263(S)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25℃
ID@TC=100℃
IDM
PD@TC=25℃
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current4
Continuous Drain Current4
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
TSTG
TJ
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
30
+20
80
80
300
104
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
℃
℃
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3
Data & specifications subject to change without notice
Value
1.2
40
Units
℃/W
℃/W
1
201210121
AP2R803GS-HF
10
I D =30A
8
V DS =15V
V DS =18V
6 V DS =24V
4
2
0
0 10 20 30 40 50
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
1000
100 100us
10
T C =25 o C
Single Pulse
1ms
10ms
100ms
DC
1
0.1 1 10 100
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
f=1.0MHz
4000
3000
C iss
2000
1000
C oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
PDM
t
T
Duty Factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
AP2R803GS-HF | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | Advanced Power Electronics |
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