BUV18 데이터시트 PDF

BUV18 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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INCHANGE Semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor

isc Product Specification

BUV18

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 0.6V(Max.) @IC= 40A

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·High efficiency converters

·Motor drive control

·Switching regulator

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VCBO

Collector-Base Voltage

VCEO Collector-Emitter Voltage

VEBO

Emitter-Base Voltage

IC Collector Current-Continuous

ICM Collector Current-Peak

IB Base Current-Continuous

IBM Base Current-Peak

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25℃

Tj Junction Temperature

Tstg Storage Temperature Range

VALUE UNIT

120 V

60 V

7V

50 A

90 A

16 A

40 A

250 W

200 ℃

-65~200 ℃

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 0.7 ℃/W

isc website：www.iscsemi.cn

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