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PDF BUV52 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BUV52 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUV52
DESCRIPTION
·High Current Capability
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 4A
·High Switching Speed
APPLICATIONS
·Designed for high current, high speed, high power
applications.
Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VCEV
Collector-Emitter Voltage
(VBE= -1.5V)
VCEO Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
ICM Collector Current-Peak
IB Base Current-Continuous
IBM Base Current-peak
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
VALUE UNIT
350 V
250 V
7V
20 A
30 A
4A
6A
150 W
200 ℃
-65~200 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 1.17 ℃/W
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BUV50 | SILICON POWER TRANSISTOR |  SavantIC |
| BUV50 | Bipolar NPN Device |  Seme LAB |
| BUV51 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | Seme LAB |
| BUV51 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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