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부품번호 | BUV56 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
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전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUV56
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 450V(Min.)
·High Speed Switching
APPLICATIONS
·Designed for switch mode power supply, UPS, DC and AC
motor control applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
VCEV
Collector-Emitter Voltage
VBE= -1.5V
850
VCEO Collector-Emitter Voltage
450
UNIT
V
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
9A
ICM Collector Current-Peak
14 A
IB Base Current-Continuous
3A
IBM Base Current-Peak
Collector Power Dissipation
PC @TC=25℃
Tj Junction Temperature
4.5 A
70 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-65~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 1.76 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUV50 | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
BUV50 | Bipolar NPN Device | Seme LAB |
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