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MTB100A10KRQ8 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB100A10KRQ8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MTB100A10KRQ8 자료 제공

부품번호 MTB100A10KRQ8 기능
기능 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB100A10KRQ8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB100A10KRQ8 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB100A10KRQ8
Spec. No. : C059Q8
Issued Date : 2016.09.22
Revised Date :
Page No. : 1/9
Features
Simple drive requirement
Low on-resistance
Fast switching speed
Dual N-ch MOSFET package
ESD protected gate
Pb-free lead plating & Halogen-free package
BVDSS
ID@VGS=10V, TA=25°C
ID@VGS=10V, TA=70°C
RDSON@VGS=10V, ID=2A
RDSON@VGS=4.5V, ID=2A
100V
2.5A
2.0A
100mΩ(typ)
119mΩ(typ)
Equivalent Circuit
MTB100A10KRQ8
Outline
SOP-8
D2
D2
D1
D1
GGate DDrain SSource
Pin 1
G2
S2
G1
S1
Ordering Information
Device
MTB100A10KRQ8-0-T3-G
Package
Shipping
SOP-8
(Pb-free lead plating and halogen-free package)
2500 pcs / tape & reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS
compliant and green compound products
Packing spec, T3 : 2500 pcs / tape & reel, 13” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB100A10KRQ8
Preliminary
CYStek Product Specification




MTB100A10KRQ8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C059Q8
Issued Date : 2016.09.22
Revised Date :
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
16
10V
9V
12 8V
7V
6V
5V
8
Typical Output Characteristics
VGS=4V
VGS=3.5V
VGS=3V
4
VGS=2.5V
0
0 2 4 6 8 10
VDS, Drain-Source Voltage(V)
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1
0.8
0.6 ID=250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
1000
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
VGS=4.5V
100
VGS=10V
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
Tj=25°C
1
0.8
Tj=150°C
0.6
0.4
10
0.01
0.1 1 10
ID, Drain Current(A)
100
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
500
450
400 ID=2A
350
300
250
200
150
100
50
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Source Voltage(V)
0.2
0
4 8 12 16
IDR, Reverse Drain Current(A)
20
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
2.5
VGS=10V, ID=2A
2
1.5
1
0.5
RDS(ON)@Tj=25°C : 100mΩ typ
0
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB100A10KRQ8
Preliminary
CYStek Product Specification

4페이지










MTB100A10KRQ8 전자부품, 판매, 대치품
Reel Dimension
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C059Q8
Issued Date : 2016.09.22
Revised Date :
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB100A10KRQ8
Preliminary
CYStek Product Specification

7페이지


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