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MTB60B06Q8 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB60B06Q8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MTB60B06Q8 자료 제공

부품번호 MTB60B06Q8 기능
기능 Dual P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB60B06Q8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB60B06Q8 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C796Q8
Issued Date : 2013.07.08
Revised Date :
Page No. : 1/9
Dual P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
MTB60B06Q8 BVDSS
ID
RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-3.5A
RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-3A
-60V
-4.5A
56mΩ(typ.)
66mΩ(typ.)
Description
The MTB60B06Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device
design, ultra low on-resistance and cost effectiveness.
The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications.
Features
RDS(ON)=75m(max.)@VGS=-10V, ID=-3.5A
Simple drive requirement
Low on-resistance
Fast switching speed
Dual P-ch MOSFET package
Pb-free lead plating & halogen-free package
Equivalent Circuit
MTB60B06Q8
Outline
SOP-8
GGate
SSource
DDrain
MTB60B06Q8
CYStek Product Specification




MTB60B06Q8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C796Q8
Issued Date : 2013.07.08
Revised Date :
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
Typical Output Characteristics
20
10V,9V,8V,7V,6V,5V,4V
15
10 -VGS=3V
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1
0.8
5
-VGS=2V
0.6
ID=-250μA,
VGS=0V
0.4
0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
0 1 -VDS, Dra2in-Source V3oltage(V) 4 5
Tj, Junction Temperature(°C)
1000
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
VGS=-2.5V
100
10
0.01
VGS=-3V
VGS=-3.5V
VGS=-4.5V
VGS=-10V
0.1 1 10
-ID, Drain Current(A)
100
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=0V
1
Tj=25°C
0.8
0.6 Tj=150°C
0.4
0.2
0
2 46 8
-IDR, Reverse Drain Current(A)
10
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
400
360
320
280
240
200
160 ID=-3.5A
120
80
40
0
0 2 4 6 8 10
-VGS, Gate-Source Voltage(V)
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
2
1.8
VGS=-4.5V, ID=-3A
1.6
1.4
1.2
1 VGS=-10V, ID=-3.5A
0.8
0.6
0.4
0.2
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB60B06Q8
CYStek Product Specification

4페이지










MTB60B06Q8 전자부품, 판매, 대치품
Reel Dimension
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C796Q8
Issued Date : 2013.07.08
Revised Date :
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB60B06Q8
CYStek Product Specification

7페이지


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