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PTFB201402FC 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 PTFB201402FC은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PTFB201402FC 자료 제공

부품번호 PTFB201402FC 기능
기능 High Power RF LDMOS Field Effect Transistor
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


PTFB201402FC 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PTFB201402FC 데이터시트, 핀배열, 회로
PTFB201402FC
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor
140 W, 28 V, 2010 – 2025 MHz
Description
The PTFB201402FC integrates two 70 W LDMOS FETs into one
open-cavity ceramic package. It is designed primarily for Doherty cel-
lular amplifier applications in the 2010 to 2025 MHz frequency band.
Manufactured with Infineon’s advanced LDMOS process, this device
offers excellent thermal performance and superior reliability.
PTFB201402FC
Package H-37248-4
Small Signal CW
Gain & Input Return Loss, single side
VDD = 28 V, IDQ = 650 mA
21.0
20.5
20.0
19.5
19.0
18.5
18.0
17.5
17.0
16.5
16.0
1800
Gain
IRL
1900
2000
2100
Frequency (MHz)
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
2200
Features
• Broadband internal matching
• Typical CW performance, 28 V, single side
- Output power, P1dB = 70 W
- Efficiency = 56%
• Integrated ESD protection
• Excellent thermal stability
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 70 W
(CW) output power, per side
• Pb-free and RoHS-compliant
RF Characteristics
Single-carrier WCDMA Specifications (tested in Infineon Doherty test fixture)
VDD = 28 V, IDQ (main) = 500 mA, VGSPK = 42.6% x VGS1, ƒ1 = 1880 MHz, ƒ2 = 2025 MHz, POUT = 20 W, PAR = 10 dB @
0.01% CCDF probability
Characteristic
Symbol Min Typ Max Unit
Gain
Drain Efficiency
Gps
hD
15 16 — dB
34 36
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
— –38.5 –33
dBc
All published data at TCASE = 25°C unless otherwise indicated
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!
Data Sheet
1 of 14
Rev. 03.1, 2016-06-14




PTFB201402FC pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance (cont.)
CW Gain & Eff. vs. Output Power
at various VDD, single side
IDQ = 650 mA, ƒ = 2018 MHz
20.0
60
19.5
50
19.0
40
18.5
30
18.0
20
17.5
VDD = 32 V
VDD = 28 V
VDD = 24 V
10
17.0
0
38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
Output Power (dBm)
PTFB201402FC
CW Sweep at P1dB, single side
VDD = 28 V, IDQ = 650 mA
21.0
60
20.5
20.0
Gain
19.5
Efficiency
55
50
45
19.0
40
18.5
35
18.0
2010 MHz
30
2018 MHz
17.5
2025 MHz
25
17.0
20
38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49
Output Power (dBm)
Two-tone Performance at
Selected Frequencies
single side, VDD = 28 V,
IDQ = 650 mA, 1 MHz tone spacing
50
2010 MHz
40 2018 MHz
2025 MHz
30
20
10
0
Efficiency
IMD3
-15
-25
-35
IMD5 -45
-55
-10
33
35 37 39 41 43 45
Output Power, avg. (dBm)
-65
47
Data Sheet
4 of 14
Rev. 03.1, 2016-06-14

4페이지










PTFB201402FC 전자부품, 판매, 대치품
PTFB201402FC
Pin G1
Gate DUT
Pin G2
Gate DUT
Reference Circuit (cont.)
PTFB201402_OUTPUT
C220
100000000 pF
TL264
TL281
1
3
2
TL263
TL283
Pin D1
Drain DUT
TL228
C209
15 pF
TL266
TL277
3
21
TL208
2
TL280 3
1
C219
10000000 pF
2
TL279 3
1
C218
10000000 pF
C217
10000000 pF
2
TL278 3
1
TL265
TL289 TL268
TL221
C204
1.8 pF
C206
1 pF
TL226 2 TL224
13
4
TL203
3
21
TL220
C208
15 pF
TL241 TL213
12
3
C205
0.5 pF
TL205
TL219
3
21
TL218
TL223
C221
15 pF
TL252 TL248 TL251
TL247
TL236
TL237
TL222 TL238
TL246
TL235 TL234
TL227
TL243 TL210
3
21
TL229
TL242
TL207
TL206
12
3
C207
15 pF
TL240
12
3
2
TL209 3
1
TL239
1
3
2
C210
10000000 pF
C202
0.5 pF
Pin D2
Drain DUT
TL225 2
1
4
3
TL269
TL216 TL204
21
3
C201
1.8 pF
TL211
TL201
3
12
TL202 TL214
21
3
C203
1 pF
TL270
TL288 TL272
21
3
C212
15 pF
TL290 TL267
TL287
1
TL273 3
2
C213
10000000 pF
TL212
TL217
TL233
2
TL232 3
1
TL231
TL261
TL244
C211
15 pF TL215 TL256
TL257
TL258
TL259
TL271
TL260
1
TL274 3
2
C214
10000000 pF
C215
10000000 pF
1
TL275 3
2
TL284
TL254
TL253
3
21
TL250
TL245
TL249
TL255
TL230 TL262
RF_OUT
TL282
TL285
C216
100000000 pF
TL276
2
b201402ef_bdout_02-03-2011
3
1
TL286
Reference circuit output schematic for ƒ = 2170 MHz
Data Sheet
7 of 14- -
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