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CS7N60FA9R 데이터시트 PDF




Huajing Microelectronics에서 제조한 전자 부품 CS7N60FA9R은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CS7N60FA9R 자료 제공

부품번호 CS7N60FA9R 기능
기능 Silicon N-Channel Power MOSFET
제조업체 Huajing Microelectronics
로고 Huajing Microelectronics 로고


CS7N60FA9R 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CS7N60FA9R 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon N-Channel Power MOSFET
CS7N60F A9R
R
General Description
CS7N60F A9R, the silicon N-channel Enhanced
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
which reduce the conduction loss, improve switching
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency. The package form is
TO-220F, which accords with the RoHS standard.
Features
l Fast Switching
l Low ON Resistance(Rdson1.3)
l Low Gate Charge (Typical Data:24nC)
l Low Reverse transfer capacitances(Typical:5.5pF)
l 100% Single Pulse avalanche energy Test
Applications
Power switch circuit of adaptor and charger.
AbsoluteTc= 25unless otherwise specified):
Symbol Parameter
VDSS
ID
IDMa1
VGS
EAS a2
dv/dt a3
PD
TJTstg
TL
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current TC = 100 °C
Pulsed Drain Current
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
Derating Factor above 25°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum Temperature for Soldering
VDSS
ID
PD(TC=25)
RDS(ON)Typ
600
7
35
1.0
Rating
600
7
4.4
28
±30
400
5.0
35
0.28
15055 to 150
300
V
A
W
Units
V
A
A
A
V
mJ
V/ns
W
W/
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CS7N60FA9R pdf, 반도체, 판매, 대치품
Characteristics Curve
100
CS7N60F A9R
40
R
10
1
OPERATION IN THIS AREA
MAY BE LIMITED BY RDS(ON)
0 .1 TJ=MAX RATED
TC=25Single Pulse
100us
1ms
10ms
DC
0 .0 1
1
Figure
10.5
10 100 1000
V ds , D rain-to-Source V oltage , V olts
1 Maximum Forward Bias Safe Operating Area
7
3.5
30
20
10
0
0 25 50 75 100 125 150
TC , Case Temperature , C
Figure 2 Maximum Power Dissipation vs Case Temperature
14
250us Pluse Test
Tc = 25
10.5
VGS=10V
VGS=7V
7
VGS=5V
VGS=6V
3.5 VGS=4.5V
0
0 25 50 75 100 125 150
TC , Case Temperature , C
Figure 3 Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature
0
0
5 10 15 20
Vds , Drain-to-Source Voltage , Volts
Figure 4 Typical Output Characteristics
25
Figure 5 Maximum Effective Thermal Impendance , Junction to Case
WUXI CHI NA RESOURCES HUAJ I NG M I CROELECTRONI CS C O., LTD. Pag e 4 of 1 0 20 15V0 1

4페이지










CS7N60FA9R 전자부품, 판매, 대치품
Test Circuit and Waveform
CS7N60F A9R
R
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7페이지


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