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8TQ080 데이터시트 PDF




SANGDEST MICROELECTRONICS에서 제조한 전자 부품 8TQ080은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 8TQ080 자료 제공

부품번호 8TQ080 기능
기능 Schottky Rectifier ( Diode )
제조업체 SANGDEST MICROELECTRONICS
로고 SANGDEST MICROELECTRONICS 로고


8TQ080 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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8TQ080 데이터시트, 핀배열, 회로
SANGDEST
MICROELECTRONICS
8TQ080 /S
8TQ100 /S
Technical Data
Data Sheet N0639, Rev. -
Applications:
8TQ080/S/ 8TQ100/S
SCHOTTKY RECTIFIER
Green Products
Switching power supply
Redundant power subsystems
Converters
Free-Wheeling diodes
Reverse battery protection
Features:
150℃ TJ operation
High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and
moisture resistance
Low forward voltage drop
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability
This is a Pb Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
Mechanical Dimensions: In mm / Inches
Case styles
8TQ…
8TQ…S
TO-220AC
D2PAK
Symbol
A
A1
A2
b
b1
c
D
D1
E
E1
e1
H1
L
L1
ΦP
Q
Θ1
Θ2
Θ3
Dimensions in
millimeters
Min. Typical Max.
4.55 4.70 4.85
1.17 1.27 1.37
2.59 2.69 2.89
0.71 0.81 0.96
1.27
0.36 0.38 0.61
14.64
14.94
15.24
8.55 8.07 8.85
10.01
10.16
10.31
9.98 10.18 10.38
5.08
6.04 6.24 6.44
13.00
13.86
14.08
3.80
3.74 3.84 4.04
2.54 2.74 2.94
TO-220AC
Weiqi Street, Airport Development Zone, Jiangning District, Nanjing, China 211113  (86) 25-87123907
FAX (86) 25-87123900 World Wide Web Site - http://www.sangdest.com.cn E-Mail Address - sales@ sangdest.com.cn




8TQ080 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SANGDEST
MICROELECTRONICS
8TQ080 /S
8TQ100 /S
Technical Data
Data Sheet N0639, Rev. -
Electrical Characteristics:
Green Products
Characteristics
Max. Forward Voltage Drop
*
Max. Reverse Current at DC
condition
Max. Reverse Current
Symbol
VF1
VF2
IR1
IR2
Max. Junction Capacitance
CT
Typical Series Inductance
LS
Max. Voltage Rate of
dv/dt
Change(Rated VR)
* Pulse Width < 300µs, Duty Cycle <2%
Thermal-Mechanical Specifications:
Condition
@ 8A, Pulse, TJ = 25 °C
@ 8A, Pulse, TJ = 125 °C
@VR = rated VR
TJ = 25 °C
@VR = rated VR
TJ = 125 °C
@VR = 5V, TC = 25 °C
fSIG = 1MHz
Measured lead to lead 5 mm from
package body
-
Max.
0.75
0.58
1.0
7
500
8.0
10,000
Units
V
V
mA
mA
pF
nH
V/μs
Characteristics
Max. Junction Temperature
Max. Storage Temperature
Maximum Thermal
Resistance Junction to Case
(per leg)
Typical Thermal
Resistance,case to Heat Sink
Approximate Weight
Case Style
Symbol
TJ
Tstg
RθJC
Condition
-
-
DC operation
Specification
-55 to +150
-55 to +150
2.0
Units
°C
°C
°C/W
Rθcs Mounting surface,smooth and
greased
0.50
°C/W
wt -
2g
TO-220AC,D2PAK(Suffixsfor D2PAK; MBRBfor D2PAK)
Weiqi Street, Airport Development Zone, Jiangning District, Nanjing, China 211113  (86) 25-87123907
FAX (86) 25-87123900 World Wide Web Site - http://www.sangdest.com.cn E-Mail Address - sales@ sangdest.com.cn

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