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CZT122 데이터시트 PDF




JCST에서 제조한 전자 부품 CZT122은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 CZT122 자료 제공

부품번호 CZT122 기능
기능 NPN Transistor
제조업체 JCST
로고 JCST 로고


CZT122 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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CZT122 데이터시트, 핀배열, 회로
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors
CZT122 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
z Complementary to CZT127
z Silicon Power Darlington Transistors
z Low speed switching and amplifier applications
SOT-223
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
MAXIMUM RATINGS (Ta=25unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value Unit
VCBO
Collector-Base Voltage
100 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
100 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current -Continuous 5 A
PC Collector Power Dissipation
1W
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
150
-65~150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cut-off current
Base cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
Test conditions
V(BR)CBO IC=1m A,IE=0
V(BR)CEO IC=30mA,IB=0
ICBO
VCB=100V,IE=0
ICEO
VCE=50V,IB=0
IEBO
VEB=5V,IC=0
hFE(1)
VCE=3V,IC=0.5A
hFE(2)
VCE=3V,IC=3A
VCE(sat)1 IC=3A,IB=12mA
VCE(sat)2 IC=5A,IB=20mA
VBE(on)
VCE=3V,IC=3A
fT VCE=4V,IC=3A,f=1MHz
Cob VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
Min Typ
100
100
1000
1000
4
Max Unit
V
V
200 uA
500 uA
2 mA
2V
4V
2.5 V
MHz
200 pF
A,Jun,2011





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