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IPS60R650CE 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IPS60R650CE은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IPS60R650CE 자료 제공

부품번호 IPS60R650CE 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Infineon
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IPS60R650CE 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IPS60R650CE 데이터시트, 핀배열, 회로
IPS60R650CE
MOSFET
600VCoolMOSªCEPowerTransistor
CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower
MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™CEisa
price-performanceoptimizedplatformenablingtotargetcostsensitive
applicationsinConsumerandLightingmarketsbystillmeetinghighest
efficiencystandards.Thenewseriesprovidesallbenefitsofafast
switchingSuperjunctionMOSFETwhilenotsacrificingeaseofuseand
offeringthebestcostdownperformanceratioavailableonthemarket.
Features
•ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss
•Veryhighcommutationruggedness
•Easytouse/drive
•Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound
•Qualifiedforstandardgradeapplications
Applications
PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages
fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTVandindoorlighting.
Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate
orseparatetotempolesisgenerallyrecommended.
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
VDS @ Tj,max
650
V
RDS(on),max
650
m
I. 9.9 A
Qg.typ
20.5
nC
ID,pulse
19
A
Eoss@400V
1.9
µJ
Type/OrderingCode
IPS60R650CE
Package
PG-TO 251
Marking
60S650CE
IPAKSL
tab
Drain
Pin 2, Tab
Gate
Pin 1
Source
Pin 3
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Final Data Sheet
1 Rev.2.0,2016-02-26




IPS60R650CE pdf, 반도체, 판매, 대치품
600VCoolMOSªCEPowerTransistor
IPS60R650CE
3Electricalcharacteristics
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table4Staticcharacteristics
Parameter
Symbol
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Gate resistance
V(BR)DSS
V(GS)th
IDSS
IGSS
RDS(on)
RG
Table5Dynamiccharacteristics
Parameter
Symbol
Input capacitance
Output capacitance
Effective output capacitance,
energy related1)
Effective output capacitance,
time related2)
Turn-on delay time
Ciss
Coss
Co(er)
Co(tr)
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Table6Gatechargecharacteristics
Parameter
Symbol
Gate to source charge
Gate to drain charge
Gate charge total
Gate plateau voltage
Qgs
Qgd
Qg
Vplateau
Min.
600
2.5
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
--
3.0 3.5
-1
10 -
- 100
0.54 0.65
1.40 -
10 -
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,ID=0.25mA
V VDS=VGS,ID=0.2mA
µA
VDS=600,VGS=0V,Tj=25°C
VDS=600,VGS=0V,Tj=150°C
nA VGS=20V,VDS=0V
VGS=10V,ID=2.4A,Tj=25°C
VGS=10V,ID=2.4A,Tj=150°C
f=1MHz,opendrain
Min.
-
-
-
Values
Typ. Max.
440 -
30 -
21 -
Unit Note/TestCondition
pF VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz
pF VGS=0V,VDS=0...480V
- 88 - pF ID=constant,VGS=0V,VDS=0...480V
-
10 -
ns
VDD=400V,VGS=13V,ID=3A,
RG=6.8;seetable10
-
8-
ns
VDD=400V,VGS=13V,ID=3A,
RG=6.8;seetable10
-
58 -
ns
VDD=400V,VGS=13V,ID=3A,
RG=6.8;seetable10
-
11 -
ns
VDD=400V,VGS=13V,ID=3A,
RG=6.8;seetable10
Min.
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
2.5 -
10.5 -
20.5 -
5.4 -
Unit Note/TestCondition
nC VDD=480V,ID=3A,VGS=0to10V
nC VDD=480V,ID=3A,VGS=0to10V
nC VDD=480V,ID=3A,VGS=0to10V
V VDD=480V,ID=3A,VGS=0to10V
1)Co(er)isafixedcapacitancethatgivesthesamestoredenergyasCosswhileVDSisrisingfrom0to80%Vo(BR)DSS
2)Co(tr)isafixedcapacitancethatgivesthesamestoredenergyasCosswhileVDSisrisingfrom0to80%Vo(BR)DSS
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IPS60R650CE 전자부품, 판매, 대치품
600VCoolMOSªCEPowerTransistor
IPS60R650CE
Diagram9:Typ.outputcharacteristics
20
16
20 V
10 V
8V
Diagram10:Typ.outputcharacteristics
12
20 V
10 V
8V
9 7V
12
8
4
0
0 5 10
VDS[V]
ID=f(VDS);Tj=25°C;parameter:VGS
7V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
15
6
3
0
20 0
5 10
VDS[V]
ID=f(VDS);Tj=125°C;parameter:VGS
6V
5.5 V
5V
4.5 V
15
20
Diagram11:Typ.drain-sourceon-stateresistance
2.0
1.9
1.8
1.7
7V
1.6
5 V 5.5 V 6 V 6.5 V
1.5 10 V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0246
ID[A]
RDS(on)=f(ID);Tj=125°C;parameter:VGS
8
10 12
Diagram12:Drain-sourceon-stateresistance
1.60
1.50
1.40
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90 98%
0.80 typ
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
-50 -25 0 25
RDS(on)=f(Tj);ID=2.4A;VGS=10V
50
Tj[°C]
75
100 125
150
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