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부품번호 | IPAW60R380CE 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | Infineon | ||
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전체 14 페이지수
IPAW60R380CE
MOSFET
600VCoolMOSªCEPowerTransistor
CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower
MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand
pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™CEisa
price-performanceoptimizedplatformenablingtotargetcostsensitive
applicationsinConsumerandLightingmarketsbystillmeetinghighest
efficiencystandards.Thenewseriesprovidesallbenefitsofafast
switchingSuperjunctionMOSFETwhilenotsacrificingeaseofuseand
offeringthebestcostdownperformanceratioavailableonthemarket.
Features
•ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss
•Veryhighcommutationruggedness
•Easytouse/drive
•Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound
•Qualifiedforstandardgradeapplications
•Widedistanceof4.25mmbetweentheleads
Applications
PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages
fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTVandindoorlighting.
Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate
orseparatetotempolesisgenerallyrecommended.
PG-TO220FullPAKWideCreepage
Drain
Pin 2, Tab
Gate
Pin 1
Source
Pin 3
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
VDS @ Tj,max
650
V
RDS(on),max
380
mΩ
ID. 15 A
Qg.typ
32
nC
ID,pulse
30
A
Eoss@400V
2.8
µJ
Type/OrderingCode
IPAW60R380CE
Package
PG - TO220 FullPAK
WideCreepage
Marking
60S380CE
RelatedLinks
see Appendix A
Final Data Sheet
1
2016-03-31
600VCoolMOSªCEPowerTransistor
IPAW60R380CE
2Thermalcharacteristics
Table3Thermalcharacteristics(FullPAK)
Parameter
Symbol
Thermal resistance, junction - case RthJC
Thermal resistance, junction - ambient RthJA
Soldering temperature, wavesoldering
only allowed at leads
Tsold
Min.
-
-
-
Values
Typ. Max.
-4
- 80
- 260
Unit Note/TestCondition
°C/W -
°C/W leaded
°C 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s
Final Data Sheet
4
2016-03-31
4페이지 600VCoolMOSªCEPowerTransistor
IPAW60R380CE
4Electricalcharacteristicsdiagrams
Diagram1:Powerdissipation(FullPAK)
35
30
25
20
15
10
5
Diagram2:Safeoperatingarea(FullPAK)
102
1 µs
10 µs
101
100 µs
1 ms
100
10 ms
DC
10-1
10-2
10-3
0
0
Ptot=f(TC)
10-4
25 50 75 100 125 150
100
TC[°C]
101 102
VDS[V]
ID=f(VDS);TC=25°C;D=0;parameter:tp
103
Diagram3:Safeoperatingarea(FullPAK)
102
1 µs
101 10 µs
100 µs
1 ms
100 10 ms
10-1 DC
10-2
10-3
Diagram4:Max.transientthermalimpedance(FullPAK)
101
0.5
100 0.2
0.1
0.05
0.02
10-1
0.01
single pulse
10-4
100
101
VDS[V]
ID=f(VDS);TC=80°C;D=0;parameter:tp
102
Final Data Sheet
10-2
103
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
tp[s]
ZthJC=f(tP);parameter:D=tp/T
7 2016-03-31
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IPAW60R380CE | MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
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