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WTPA12A80CW 데이터시트 PDF




Winsemi에서 제조한 전자 부품 WTPA12A80CW은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 WTPA12A80CW 자료 제공

부품번호 WTPA12A80CW 기능
기능 Bi-Directional Triode Thyristor
제조업체 Winsemi
로고 Winsemi 로고


WTPA12A80CW 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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WTPA12A80CW 데이터시트, 핀배열, 회로
Features
Repetitive Peak off -State Voltage:800V
R.M.S On-State Current(IT(RMS)=12A)
Low On-State Voltage (1.55V(Max.)@ITM
High Commutation dv/dt
Halogen free(WTPA12A80CW-HF)
WTPA12A80CW
Sensitive Gate
Bi-Directional Triode Thyristor
General Description
General purpose switching and phase control applications .These devices
are intented to be interfaced directly to miro-Controllers,logic integrated
circuits and other low power gatetrigger circuits such as fan speed and
temperature modulation control,lighting control and static switching relay.
By using an internal ceramic pad, the WTPA series provides voltage
insulated tab (rated at 2500V RMS) complying with UL standards (file
ref.:E347423)
Absolute Maximum Ratings (TJ=25℃ unless otherwise specified)
symbol
Parameter
Ratings Units
VDRM/VPRM Peak Repetitive Forward Blocking Voltage(gate open) (Note1)
800 V
IT(RMS)
Forward Current RMS(All Conduction Angles, TJ=58℃)
12 A
ITSM Peak Forward Surge Current, (full Cycle, Sine Wave,50/60Hz)
120/126
A
I2t Circuit Fusing Considerations (tp=10ms)
100 A2s
PGM Peak Gate Power —Forward,(TJ=58,Pulse With≤1.0us)
5W
PG(AV) Average Gate Power —Forward,(Over any 20ms period)
1.0 W
Critical rate of rise of on-state current
dI/dt
ITM=20A;IG=200mA;dIG/dt=200mA/µs
TJ=125
50 A/µs
IFGM
VRGM
TJ
Tstg
Peak Gate Current—Forward,TJ=125℃(20µs,120PPS)
Peak Gate Voltage—Reverse,TJ=125(20µs,120PPS)
Junction Temperature
Storage Temperature
4
10
-40~125
-40~150
A
V
Note1.Although not recommended off -state voltages up to 800v ,may be applied with out damage, but the TRIAC
may swiTJh to the on-state .the rate of rise of current should not exceed 15A/us.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
RӨJC
Thermal Resistance Junction to case
RӨJA
Thermal resistance Junction to Ambient
Value
2.3
60
Units
℃/W
℃/W
Rev.A May.2011
Copyright@Winsemi Microelectronics Co., Ltd., All right reserved.




WTPA12A80CW pdf, 반도체, 판매, 대치품
WTPA12A80CW
Fig.7 Relative variation of critical rate of
decrease of main current versus junction
temperature.
Fig.8 Normalised gate trigger voltage
VGT(Tj)/VGT(25)Versus junction temperature Tj
Fig.9 Transient thermal impedance Zth j-mb,versus
pulse width tp
Steady, keep you advance
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