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BAS19 PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 BAS19 기능
기능 General purpose diodes
제조업체 NXP
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BAS19 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D088
BAS19; BAS20; BAS21
General purpose diodes
Product data sheet
Supersedes data of 1999 May 26
2003 Mar 20




BAS19 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
General purpose diodes
Product data sheet
BAS19; BAS20; BAS21
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
VF forward voltage
IR reverse current
BAS19
BAS20
BAS21
Cd diode capacitance
trr reverse recovery time
CONDITIONS
see Fig.3
IF = 100 mA
IF = 200 mA
see Fig.5
VR = 100 V
VR = 100 V; Tj = 150 °C
VR = 150 V
VR = 150 V; Tj = 150 °C
VR = 200 V
VR = 200 V; Tj = 150 °C
f = 1 MHz; VR = 0; see Fig.6
when switched from IF = 30 mA to
IR = 30 mA; RL = 100 ; measured at
IR = 3 mA; see Fig.8
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-tp
Rth j-a
thermal resistance from junction to tie-point
thermal resistance from junction to ambient note 1
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
CONDITIONS
MAX. UNIT
1V
1.25 V
100 nA
100 µA
100 nA
100 µA
100 nA
100 µA
5 pF
50 ns
VALUE
330
500
UNIT
K/W
K/W
2003 Mar 20
4

4페이지










BAS19 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
General purpose diodes
Product data sheet
BAS19; BAS20; BAS21
handbook, full pagewidth
RS = 50
V = VR IF x R S
D.U.T.
IF
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
R i = 50
MGA881
VR
tr
10%
tp
90%
input signal
t
IF
t rr
t
(1)
output signal
(1) IR = 3 mA.
Fig.8 Reverse recovery voltage test circuit and waveforms.
2003 Mar 20
7

7페이지



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