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DZB13C 데이터시트 PDF




Sanyo Semicon Device에서 제조한 전자 부품 DZB13C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 DZB13C 자료 제공

부품번호 DZB13C 기능
기능 1.0W Zener Diodes
제조업체 Sanyo Semicon Device
로고 Sanyo Semicon Device 로고


DZB13C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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DZB13C 데이터시트, 핀배열, 회로
Ordering number :EN653F
Features
· Plastic molded structure.
· Voltage regulator use.
· Power dissipation:P=1.0W.
· Zener voltage:VZ=6.2 to 30V
DZB6.2 to DZB30
Sillicon Diffused Junction Type
1.0W Zener Diodes
Package Dimensions
unit:mm
1083
[DZB6.2 to DZB30]
C:Cathode
A:Anode
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
Tj
Tstg
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C
Conditions
Ratings
1.0
150
–40 to +150
Unit
W
˚C
˚C
Type No.
Zener Characteristics
Forward Voltage Drop
Reverse Current
DZB6.2U
6.8C
7.5C
8.2C
9.1C
10C
11C
12C
13C
15C
16C
18C
20C
22C
24C
27C
30C
Zener Voltage
VZ
[V]
Dynamic
Resistance
Measured
Measured
Measured
Current VF Current IR Voltage
[] IZ [V] [A] [µA] [V]
typ min max max [mA] max
max
6.2
5.60
6.80
60
–10
2
0.2 –10 –2.0
6.8
6.45
7.14
60
–10
2
0.2 –10 –3.0
7.5
7.13
7.81
30
–10
2
0.2 –10 –4.5
8.2
7.79
8.61
30
–10
2
0.2 –10 –4.9
9.1
8.65
9.55
30
–10
2
0.2 –10 –5.5
10
9.50
10.50
30
–10
2
0.2 –10 –6.0
11
10.50
11.50
30
–10
2
0.2 –10 –7.0
12
11.40
12.60
30
–10
2
0.2 –10 –8.0
13
12.40
13.60
30
–10
2
0.2 –10 –9.0
15
14.30
15.80
30
–10
2
0.2 –10 –10.0
16
15.20
16.80
30
–10
2
0.2 –10 –11.0
18
17.10
18.90
30
–10
2
0.2 –10 –13.0
20
19.00
21.00
30
–10
2
0.2 –10 –14.0
22
20.90
23.10
30
–10
2
0.2 –10 –16.0
24
22.80
25.20
30
–10
2
0.2 –10 –17.0
27
25.70
28.30
30
–10
2
0.2 –10 –19.0
30
28.50
31.50
30
–10
2
0.2 –10 –21.0
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
33098HA (KT)/13196GI/2089TA/1199MO/9205KI, TS No.653-1/2





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