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부품번호 | PZTA64 기능 |
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기능 | PNP Darlington transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D087
PZTA64
PNP Darlington transistor
Product specification
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Jun 20
Philips Semiconductors
PNP Darlington transistor
Product specification
PZTA64
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
ICBO
ICES
IEBO
hFE
VCEsat
VBEon
fT
collector cut-off current
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
transition frequency
IE = 0; VCB = −30 V
VBE = 0; VCE = −30 V
IC = 0; VEB = −10 V
VCE = −5 V; see Fig.2
IC = −10 mA
IC = −100 mA
IC = −100 mA; IB = −0.1 mA
IC = −100 mA; VCE = −5 V
IC = −10 mA; VCE = −5 V; f = 100 MHz
−
−
−
10 000
20 000
−
−
125
MAX.
−100
−100
−100
UNIT
nA
nA
nA
−
−
−1.5 V
−2 V
− MHz
100000
handbook, full pagewidth
hFE
80000
60000
40000
20000
0
−1
VCE = −2 V.
MGD836
−10 −102
Fig.2 DC current gain; typical values.
IC (mA)
−103
1997 Jun 20
4
4페이지 Philips Semiconductors
PNP Darlington transistor
NOTES
Product specification
PZTA64
1997 Jun 20
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PZTA63 | PNP Silicon Darlington Transistors | Siemens Semiconductor Group |
PZTA63 | PNP Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
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