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NZT44H8 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 NZT44H8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NZT44H8 자료 제공

부품번호 NZT44H8 기능
기능 NPN Power Amplifier
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


NZT44H8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NZT44H8 데이터시트, 핀배열, 회로
Discrete POWER & Signal
Technologies
D44H8
NZT44H8
B
CE
TO-220
C
SOT-223
E
C
B
NPN Power Amplifier
This device is designed for power amplifier, regulator and switching
circuits where speed is important. Sourced from Process 4Q.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
VCEO
IC
TJ, Tstg
Collector-Emitter Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
60
8.0
-55 to +150
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
D44H8
PD Total Device Dissipation
Derate above 25°C
RθJC Thermal Resistance, Junction to Case
60
480
2.1
RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient
62.5
*Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.
*NZ T44H8
1.5
12
83.3
Units
V
A
°C
Units
W
mW/°C
°C/W
°C/W
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation




NZT44H8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
AC Typical Characteristics (continued)
Maximum Power Dissipation
vs. Case Temperature
NPN Power Amplifier
(continued)
Maximum Power Dissipation
vs. Ambient Temperature
POWER DISSIPATION vs
AMBIENT TEMPERATURE
1.5
1.25
1 SOT-223
0.75
0.5
0.25
0
0 25 50 75 100 125
TEMPERATURE (o C)
150
Thermal Response in TO-220 Package

4페이지












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