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FZT717 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 FZT717은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FZT717 자료 제공

부품번호 FZT717 기능
기능 PNP medium power transistor
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


FZT717 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FZT717 데이터시트, 핀배열, 회로
FZT717
SOT223 PNP medium power transistor
Summary
BVCEO = -12V; IC = 3A
Description
Packaged in the SOT223 outline this low saturation 12V PNP transistor
offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC
circuits and various driving and power management functions.
Features
• 2W power dissipation
• 3A continuous current
• Excellent hFE characteristics up to 10A (pulsed)
• Low saturation voltage
www.DataSheet4U.com
Applications
• Battery charging
• MOSFET and IGBT gate driving
• Motor drive
Ordering information
Device
FZT717TA
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
12
Device marking
FZT717
Quantity
per reel
1,000
C
B
E
E
CC
B
Pinout - top view
Issue 2 - September 2006
© Zetex Semiconductors plc 2006
1
www.zetex.com




FZT717 pdf, 반도체, 판매, 대치품
FZT717
Electrical characteristics (at Tamb = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Collector-base breakdown
voltage
Collector-emitter breakdown
voltage
Emitter-base breakdown
voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation
voltage
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
Base-emitter saturation
voltage
VBE(sat)
Base-emitter turn-on voltage VBE(on)
Static forward current transfer hFE
ratio
Transition frequency
Output capacitance
Switching times
fT
COBO
ton
toff
Min.
-12
-12
-5
300
300
160
60
45
80
Typ. Max. Unit Conditions
V IC = 100µA
V IC = 10mA
V IE = 100µA
-100
-100
-20
-150
-320
-1050
nA VCB = -10V
nA VEB = -4V
mV IC =-0.1A, IB =-10mA (*)
IC =-1A, IB =-10mA(*)
IC =-3A, IB =-50mA(*)
mV IC =-3A, IB =-50mA(*)
-1000 mV IC =-3A, VCE =-2V(*)
IC =-10mA, VCE =-2V(*)
IC =-100mA, VCE =-2V(*)
IC =-3A, VCE =-2V(*)
IC =-8A, VCE =-2V(*)
IC =-10A, VCE =-2V(*)
110 MHz IC =-50mA, VCE =-10V
f = 100MHz
21 30 pF VCB =-10V, f = 1MHz
70 ns VCC =-6V, IC =-2A
130 ns IB1 = IB2 =50mA
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300µs. Duty cycle Յ2%
Issue 2 - September 2006
© Zetex Semiconductors plc 2006
4
www.zetex.com

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