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IXZ318N50 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 IXZ318N50은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IXZ318N50 자료 제공

부품번호 IXZ318N50 기능
기능 500V (max) Switch Mode MOSFETS
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


IXZ318N50 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXZ318N50 데이터시트, 핀배열, 회로
IXZ318N50
Z-MOS RF Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET
Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process
Optimized for RF Operation
Ideal for Class C, D, & E Applications
VDSS
ID25
= 500 V
= 19.0 A
Symbol Test Conditions
VDSS
VDGR
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M
Maximum Rat-
ings
500 V
500 V
RDS(on) = 0.325
PDC = 880 W
VGS
Continuous
±20 V
VGSM
Transient
±30 V
ID25 Tc = 25°C
19 A
IDM Tc = 25°C, pulse width limited by TJM
95 A
IAR Tc = 25°C
19 A
EAR
Tc = 25°C
TBD mJ
dv/dt
PDC
PDHS
IS IDM, di/dt 100A/µs, VDD VDSS,
Tj 150°C, RG = 0.2
IS = 0
Tc = 25°C, Derate 4.4W/°C above 25°C
5 V/ns
>200 V/ns
880 W
440 W
GATE
DRAIN
PDAMB
Tc = 25°C
3.0 W
RthJC
RthJHS
0.17 C/W
0.34 C/W
Symbol Test Conditions
www.DataSheet4U.com
Characteristic Values
(TJ = 25°C unless otherwise specified)
min. typ. max.
VDSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
VGS = 0 V, ID = 4 ma
VDS = VGS, ID = 250µΑ
VGS = ±20 VDC, VDS = 0
VDS = 0.8VDSS
VGS=0
TJ = 25C
TJ =125C
500
3.5
6.5
±100
50
1
V
V
nA
µA
mA
RDS(on)
VGS = 20 V, ID = 0.5ID25
Pulse test, t 300µS, duty cycle d 2%
0.325
gfs VDS = 50 V, ID = 0.5ID25, pulse test
14 S
TJ
-55
+175
°C
TJM 175 °C
Tstg
-55
+ 175
°C
SG1 SG2
SD1 SD2
Features
Isolated Substrate
high isolation voltage (>2500V)
excellent thermal transfer
Increased temperature and power
cycling capability
IXYS advanced Z-MOS process
Low gate charge and capacitances
easier to drive
faster switching
Low RDS(on)
Very low insertion inductance (<2nH)
No beryllium oxide (BeO) or other
hazardous materials
Advantages
Optimized for RF and high speed
Easy to mount—no insulators needed
High power density
TL 1.6mm(0.063 in) from case for 10 s
300 °C
Weight
3.5 g





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