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5SMX12K1701 데이터시트 PDF




ABB에서 제조한 전자 부품 5SMX12K1701은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 5SMX12K1701 자료 제공

부품번호 5SMX12K1701 기능
기능 IGBT-Die
제조업체 ABB
로고 ABB 로고


5SMX12K1701 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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5SMX12K1701 데이터시트, 핀배열, 회로
9&(  9
,&  $
,*%7'LH
60; .
'LH VL]H  [  PP
/RZ ORVV WKLQ ,*%7 GLH
+LJKO\ UXJJHG 637 GHVLJQ
/DUJH IURQW ERQGDEOH DUHD
Doc. No. 5SYA1619-01 July 03
0D[LPXP UDWHG YDOXHV 
3DUDPHWHU
6\PERO &RQGLWLRQV
Collector-emitter voltage
DC collector current
Peak collector current
Gate-emitter voltage
IGBT short circuit SOA
www.DJautanSchteioent4Ute.mcopmerature
VCES
IC
ICM
VGES
tpsc
Tvj
VGE = 0 V, Tvj 25 °C
Limited by Tvjmax
VCC = 1300 V, VCEM 1700 V
VGE 15 V, Tvj 125 °C
1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur
PLQ PD[ 8QLW
1700 V
75 A
150 A
-20 20 V
10 µs
-40 150 °C
$%% 6ZLW]HUODQG /WG 6HPLFRQGXFWRUV UHVHUYHV WKH ULJKW WR FKDQJH VSHFLILFDWLRQV ZLWKRXW QRWLFH




5SMX12K1701 pdf, 반도체, 판매, 대치품
60; .
150 150
VCE = 25 V
25 °C
125
125
125 °C
100 100
75 75
50
25
VGE = 15 V
0
012345
VCE [V]
50
125 °C
25 °C
25
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
)LJ  Typical onstate characteristics
)LJ  Typical transfer characteristics
0.080
VCC = 900 V
0.070
RG = 15 ohm
VGE = ±15 V
Tvj = 125 °C
0.060 Lσ = 160 nH
www.DataSheet4U.com
0.050
0.040
0.030
0.020
0.010
Eon
Eoff
0.000
0
25 50 75 100 125 150
Ic [A]
0.050
0.045
0.040
0.035
VCC = 900 V
IC = 75 A
VGE = ±15 V
Tvj = 125 °C
Lσ = 160 nH
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
0
10
Eon
Eoff
20 30
RG [ohm]
40
50
)LJ  Typical switching characteristics vs
collector current
)LJ  Typical switching characteristics vs
gate resistor
$%% 6ZLW]HUODQG /WG 6HPLFRQGXFWRUV UHVHUYHV WKH ULJKW WR FKDQJH VSHFLILFDWLRQV ZLWKRXW QRWLFH
Doc. No. 5SYA1619-01 July 03
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