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부품번호 | 5SMX12K1701 기능 |
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기능 | IGBT-Die | ||
제조업체 | ABB | ||
로고 | |||
9&( 9
,& $
,*%7'LH
60; .
'LH VL]H [ PP
• /RZ ORVV WKLQ ,*%7 GLH
• +LJKO\ UXJJHG 637 GHVLJQ
• /DUJH IURQW ERQGDEOH DUHD
Doc. No. 5SYA1619-01 July 03
0D[LPXP UDWHG YDOXHV
3DUDPHWHU
6\PERO &RQGLWLRQV
Collector-emitter voltage
DC collector current
Peak collector current
Gate-emitter voltage
IGBT short circuit SOA
www.DJautanSchteioent4Ute.mcopmerature
VCES
IC
ICM
VGES
tpsc
Tvj
VGE = 0 V, Tvj ≥ 25 °C
Limited by Tvjmax
VCC = 1300 V, VCEM ≤ 1700 V
VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C
1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur
PLQ PD[ 8QLW
1700 V
75 A
150 A
-20 20 V
10 µs
-40 150 °C
$%% 6ZLW]HUODQG /WG 6HPLFRQGXFWRUV UHVHUYHV WKH ULJKW WR FKDQJH VSHFLILFDWLRQV ZLWKRXW QRWLFH
60; .
150 150
VCE = 25 V
25 °C
125
125
125 °C
100 100
75 75
50
25
VGE = 15 V
0
012345
VCE [V]
50
125 °C
25 °C
25
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
)LJ Typical onstate characteristics
)LJ Typical transfer characteristics
0.080
VCC = 900 V
0.070
RG = 15 ohm
VGE = ±15 V
Tvj = 125 °C
0.060 Lσ = 160 nH
www.DataSheet4U.com
0.050
0.040
0.030
0.020
0.010
Eon
Eoff
0.000
0
25 50 75 100 125 150
Ic [A]
0.050
0.045
0.040
0.035
VCC = 900 V
IC = 75 A
VGE = ±15 V
Tvj = 125 °C
Lσ = 160 nH
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
0
10
Eon
Eoff
20 30
RG [ohm]
40
50
)LJ Typical switching characteristics vs
collector current
)LJ Typical switching characteristics vs
gate resistor
$%% 6ZLW]HUODQG /WG 6HPLFRQGXFWRUV UHVHUYHV WKH ULJKW WR FKDQJH VSHFLILFDWLRQV ZLWKRXW QRWLFH
Doc. No. 5SYA1619-01 July 03
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
5SMX12K1701 | IGBT-Die | ABB |
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