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5SMX12N4507 데이터시트 PDF




ABB에서 제조한 전자 부품 5SMX12N4507은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 5SMX12N4507 자료 제공

부품번호 5SMX12N4507 기능
기능 IGBT-Die
제조업체 ABB
로고 ABB 로고


5SMX12N4507 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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5SMX12N4507 데이터시트, 핀배열, 회로
VCE =
IC =
4500 V
40 A
IGBT-Die
5SMX 12N4507
Die size: 14.3 x 14.3 mm
Low loss, rugged SPT technology
Smooth switching for good EMC
Emitter metallisation optimized for press-pack packaging
Passivation: SIPOS and Silicon Nitride plus Polyimide
Maximum rated values 1)
Parameter
Symbol Conditions
Collector-emitter voltage
VCES VGE = 0 V
DC collector current
IC
Peak collector current
ICM Limited by Tvjmax
Gate-emitter voltage
VGES
IGBT short circuit SOA
tpsc
VCC = 3400 V, VCEM 4500 V
VGE 15 V, Tvj 125 °C
www.DJautnacSthioenet4teUm.cpomerature
Tvj
1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur per IEC 60747 - 9
Doc. No. 5SYA1626-03 July 06
min max Unit
4500 V
40 A
80 A
-20 20 V
10 µs
-40 125 °C
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.




5SMX12N4507 pdf, 반도체, 판매, 대치품
5SMX 12N4507
80
70
60
25 °C
125 °C
50
40
30
20
10
VGE = 15 V
0
01234567
VCE [V]
80
VCE = 20 V
70
60
50
40
30 125 °C
20 25 °C
10
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
Fig. 1 Typical onstate characteristics
Fig. 2 Typical transfer characteristics
0.4
VCC = 2800 V
0.35
RG = 33 ohm
VGE = ±15 V
Tvj = 125 °C
0.3 Lσ = 6 µH
www.DataSheet4U.com
0.25
0.2
0.15
0.1
Eoff
Eon
0.05
0
0 20 40 60
IC [A]
80 100
0.3
0.25
0.2
Eoff
0.15
Eon
0.1
0.05
0
0
VCC = 2800 V
IC = 40 A
VGE = ±15 V
Tvj = 125 °C
Lσ = 6 µH
50 100 150 200 250
RG [ohm]
Fig. 3 Typical switching characteristics vs
collector current
Fig. 4 Typical switching characteristics vs
gate resistor
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
Doc. No. 5SYA1626-03 July 06
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