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7N60C 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 7N60C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 7N60C 자료 제공

부품번호 7N60C 기능
기능 IXGA7N60C
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


7N60C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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7N60C 데이터시트, 핀배열, 회로
HiPerFASTTM IGBT IXGA 7N60C
LightspeedTM Series IXGP 7N60C
VCES
IC25
VCE(sat)
tfi
= 600 V
= 14 A
= 2.7 V
= 45 ns
Symbol
Test Conditions
VCES
VCGR
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 M
VGES
VGEM
Continuous
Transient
IC25
IC90
ICM
SSOA
(RBSOA)
TC = 25°C
TC = 90°C
TC = 25°C, 1 ms
VGE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 22
Clamped inductive load, L = 300 µH
PC TC = 25°C
TJ
TJM
Tstg
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Md
Mounting torque, (TO-220)
M3
M3.5
Weight
TO-220
TO-263
Maximum Ratings
600
600
±20
±30
14
7
30
ICM = 14
@ 0.8 V
CES
54
-55 ... +150
http://www.DataSheet4U.com/
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
A
W
C
C
C
C
0.45/4 Nm/lb.in.
0.55/5 Nm/lb.in.
4g
2g
Symbol
BVCES
VGE(th)
ICES
IGES
VCE(sat)
Test Conditions
Characteristic Values
(T = 25°C, unless otherwise specified)
J
min. typ. max.
IC = 250 µA, VGE = 0 V
IC = 250 µA, VCE = VGE
VCE = 0.8 • VCES
V =0V
GE
TJ = 25°C
T = 125°C
J
VCE = 0 V, VGE = ±20 V
IC = IC90, VGE = 15 V
600 V
2.5 5.5 V
100 µA
500 µA
±100 nA
2.0 2.7 V
TO-220AB (IXGP)
GCE
TO-263 AA (IXGA)
G
E
C (TAB)
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
Features
International standard packages
JEDEC TO-263 surface
mountable and JEDEC TO-220 AB
High frequency IGBT
High current handling capability
HiPerFASTTM HDMOSTM process
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Advantages
High power density
Suitable for surface mounting
Very low switching losses for high
frequency applications
© 2002 IXYS All rights reserved
This datasheet has been downloaded from http://www.digchip.com at this page
98564A (06/02)





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