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9NB50FP 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 9NB50FP은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 9NB50FP 자료 제공

부품번호 9NB50FP 기능
기능 STP9NB50FP
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


9NB50FP 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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9NB50FP 데이터시트, 핀배열, 회로
STP9NB50
STP9NB50FP
N-CHANNEL 500V - 0.75 - 8.6 A TO-220/TO-220FP
PowerMeshMOSFET
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
STP9NB50
500 V < 0.85 8.6 A
STP9NB50FP
500 V < 0.85 4.9 A
s TYPICAL RDS(on) = 0.75
s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
s 100% AVALANCHE TESTED
s VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
s GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an ad-
vanced family of power MOSFETs with outstanding
performances. The new patent pending strip layout
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-
nation structure, gives the lowest RDS(on) per area,
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and
unrivalled gate charge and switching characteris-
tics.
APPLICATIONS
s HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
3
2
1
TO-220
3
2
1
TO-220FP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
VDS
VDGR
VGS
ID
ID
IDM (q)
PTOT
Drain-source Voltage (VGS = 0)
Drain-gate Voltage (RGS = 20 k)
Gate- source Voltage
Drain Current (continuos) at TC = 25°C
Drain Current (continuos) at TC = 100°C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at TC = 25°C
Derating Factor
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope
VISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
Tstg Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
()Pulse width limited by safe operating area
May 2000
Value
STP9NB50 STP9NB50FP
500
500
±30
8.6
4.9
5.4 3.1
34.4 34.4
125 40
1 0.32
4.5 4.5
- 2000
–65 to 150
150
(1)ISD<9A, di/dt<200A/µ, VDD<V(BR)DSS,TJ<TJMAX
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
V/ns
V
°C
°C
1/9
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9NB50FP pdf, 반도체, 판매, 대치품
STP9NB50/FP
Thermal Impedence for TO-220
Thermal Impedence for TO-220FP
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
4/9

4페이지










9NB50FP 전자부품, 판매, 대치품
STP9NB50/FP
DIM.
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
TO-220 MECHANICAL DATA
mm
TYP.
1.27
16.4
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
inch
TYP.
0.050
0.645
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
L2
Dia.
L5
L7
L6
L9
L4
P011C
7/9

7페이지


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