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09N70P 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 09N70P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 09N70P 자료 제공

부품번호 09N70P 기능
기능 AP09N70P
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


09N70P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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09N70P 데이터시트, 핀배열, 회로
AP09N70P/R
Advanced Power
Electronics Corp.
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Fast Switching
Simple Drive Requirement
GG
D
D
S
S
BVDSS
RDS(ON)
ID
Description
AP09N70 series are specially designed as main switching devices for universal
90~265VAC off-line AC/DC converter applications.Both TO-220 and TO-262 G
type provide high blocking voltage to overcome voltage surge and sag in the D
toughest power system with the best combination of fast switching,ruggedized S
design and cost-effectiveness.
600/675V
0.75Ω
9A
TO-220(P)
The TO-220 and TO-262 package is universally preferred for all commercial-
industrial applications. The device is suited for switch mode power supplies
,DC-AC converters and high current high speed switching circuits.
G
D
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Rating
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
- /A 600/675
± 30
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
EAS
IAR
EAR
TSTG
TJ
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy2
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
9
5
40
156
1.25
305
9
9
-55 to 150
-55 to 150
TO-262(R)
Units
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
A
mJ
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Thermal Resistance Junction-case
Rthj-a
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Max.
Value
0.8
62
Unit
/W
/W
Data & specifications subject to change without notice
200218032
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




09N70P pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP09N70P/R
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
25 50 75 100 125 150
T c , Case Temperature ( C)
Fig 5. Maximum Drain Current v.s.
Case Temperature
150
100
50
0
0 50 100 150
Tc , Case Temperature( o C)
Fig 6. Typical Power Dissipation
100 1
10
1
T c =25 o C
Single Pulse
10us
100us
1ms
10ms
100ms
0.1
1
10 100 1000
V DS (V)
10000
DUTY=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
Fig 7. Maximum Safe Operating Area
Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance

4페이지












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