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PZTA96ST1 데이터시트 PDF




ON Semiconductor에서 제조한 전자 부품 PZTA96ST1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PZTA96ST1 자료 제공

부품번호 PZTA96ST1 기능
기능 High Voltage Transistor
제조업체 ON Semiconductor
로고 ON Semiconductor 로고


PZTA96ST1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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PZTA96ST1 데이터시트, 핀배열, 회로
PZTA96ST1
Preferred Device
High Voltage Transistor
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation Up to
TA = 25°C (Note 1)
Storage Temperature Range
Junction Temperature
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance from Junction to
Ambient (Note 1)
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
Value
–450
–450
–5.0
–500
1.5
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Watts
Tstg –65 to +150 °C
TJ 150 °C
Symbol
RqJA
Max
83.3
Unit
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Note 2)
Characteristic
Symbol Min Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO –450 –
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –100 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO –450 –
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = –10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO –5.0 –
Vdc
Collector–Base Cutoff Current
(VCB = –400 Vdc, IE = 0)
ICBO
– –0.1 mAdc
Emitter–Base Cutoff Current
(VBE = –4.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
– –0.1 mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 3)
(IC = –10 mAdc, VCE = –10 Vdc)
hFE 50 150 –
Saturation Voltages
(IC = –20 mAdc, IB = –2.0 mAdc)
(IC = –20 mAdc, IB = –2.0 mAdc)
VCE(sat)
VBE(sat)
Vdc
– –0.6
– –1.0
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in.
x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 in2.
2. TA = 25°C unless otherwise noted.
3. Pulse Test: Pulse Width 300 ms; Duty Cycle = 2.0%.
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COLLECTOR 2,4
BASE
1
EMITTER 3
4
1
2
3
SOT–223, TO–261AA
CASE 318E
STYLE 1
AWW
ZTA96
A = Location
WW = Work Week
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
PZTA96ST1
SOT–223 1000/Tape & Reel
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
June, 2002 – Rev. 1
1
Publication Order Number:
PZTA96ST1/D
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




PZTA96ST1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
PZTA96ST1
200°C
150°C
100°C
STEP 1
PREHEAT
ZONE 1
RAMP"
STEP 2
VENT
SOAK"
STEP 3
HEATING
ZONES 2 & 5
RAMP"
STEP 4
STEP 5
HEATING HEATING
ZONES 3 & 6 ZONES 4 & 7
SOAK"
SPIKE"
DESIRED CURVE FOR HIGH
MASS ASSEMBLIES
160°C
170°C
150°C
STEP 6 STEP 7
VENT COOLING
205° TO 219°C
PEAK AT
SOLDER JOINT
100°C
140°C
SOLDER IS LIQUID FOR
40 TO 80 SECONDS
(DEPENDING ON
MASS OF ASSEMBLY)
DESIRED CURVE FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
50°C
TIME (3 TO 7 MINUTES TOTAL)
TMAX
Figure 2. Typical Solder Heating Profile
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4
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4페이지










PZTA96ST1 전자부품, 판매, 대치품
Notes
PZTA96ST1
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7
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7페이지


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