Datasheet.kr   

4N65Z 데이터시트 PDF




UNISONIC TECHNOLOGIES에서 제조한 전자 부품 4N65Z은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 4N65Z 자료 제공

부품번호 4N65Z 기능
기능 40A 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
제조업체 UNISONIC TECHNOLOGIES
로고 UNISONIC TECHNOLOGIES 로고


4N65Z 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 8 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

4N65Z 데이터시트, 핀배열, 회로
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
4N65Z
4A, 650V N-CHANNEL
POWER MOSFET
„ DESCRIPTION
The UTC 4N65Z is a high voltage power MOSFET designed to
have b etter ch aracteristics, s uch as fast s witching tim e, lo w gate
charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche
characteristic. This po wer MOSF ET is usuall y used in hi gh spee d
switching a pplications including p ower s upplies, PW M motor
controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
„ FEATURES
* RDS(ON) = 2.5@VGS = 10 V
* Ultra Low Gate Charge ( typical 15 nC )
* Low Reverse Transfer Capacitance ( CRSS = Typical 8.0 pF )
* Fast Switching Capability
* Avalanche Energy Specified
* Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
„ SYMBOL
1
Power MOSFET
TO-220F
„ ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
4N65ZL- TF3-T
4N65ZG-TF3-T
Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source
Package
TO-220F
Pin Assignment
123
GDS
Packing
Tube
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2012 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 8
QW-R502-778.A
http://www.Datasheet4U.com




4N65Z pdf, 반도체, 판매, 대치품
4N65Z
„ TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
D.U.T.
+
VDS
-
+
-
L
Power MOSFET
VGS
(Driver)
ISD
(D.U.T.)
VDS
(D.U.T.)
RG
VGS
Same Type
as D.U.T.
Driver
* dv/dt controlled by RG
* ISD controlled by pulse period
* D.U.T.-Device Under Test
VDD
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
P. W.
D= Period
VGS= 10V
IFM, Body Diode Forward Current
di/dt
IRM
Body Diode Reverse Current
Body Diode Recovery dv/dt
VDD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
4 of 8
QW-R502-778.A

4페이지










4N65Z 전자부품, 판매, 대치품
4N65Z
„ TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)
Power MOSFET
Capacitance Characteristics
(Non-Repetitive)
1200
1000
800
600
400
Ciss=Cgs+Cgd (Cds=shorted)
Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd
Ciss
Coss
Notes:
1. VGS=0V
2. f = 1MHz
200 Crss
0
0.1 1
10
Drain-SourceVoltage, VDS (V)
Gate Charge Characteristics
12
10 VDS=300V
8 VDS=480V
6 VDS=120V
4
2
0 Note: ID=4A
0 5 10
15
20 25
Total Gate Charge, QG (nC)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
7 of 8
QW-R502-778.A

7페이지


구       성 총 8 페이지수
다운로드[ 4N65Z.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
4N65

N-Channel MOSFET Transistor

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
4N65

650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵