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PDF 형식의 60N3LH5 데이터시트 제공 ( 특징, 기능 )

부품번호 60N3LH5 기능
기능 N-channel Power MOSFET
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고　


60N3LH5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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60N3LH5 데이터시트, 핀배열, 회로
STD60N3LH5
STP60N3LH5, STU60N3LH5
N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220
STripFET™ V Power MOSFET
Features
Type
STD60N3LH5
STP60N3LH5
STU60N3LH5
VDSS
30 V
30 V
30 V
RDS(on) max
0.008 Ω
0.0084 Ω
0.0084 Ω
ID
48 A
48 A
48 A
■ RDS(on) * Qg industry benchmark
■ Extremely low on-resistance RDS(on)
■ Very low switching gate charge
■ High avalanche ruggedness
■ Low gate drive power losses
Application
■ Switching applications
Description
This STripFET™V Power MOSFET technology is
among the latest improvements, which have been
especially tailored to achieve very low on-state
resistance providing also one of the best-in-class
FOM.
3
2
1
TO-220
3
1
DPAK
3
2
1
IPAK
Figure 1. Internal schematic diagram
Table 1. Device summary
Order codes
STD60N3LH5
STP60N3LH5
STU60N3LH5
Marking
60N3LH5
60N3LH5
60N3LH5
Package
DPAK
TO-220
IPAK
Packaging
Tape and reel
Tube
Tube
April 2009
Doc ID 14079 Rev 3
1/16
www.st.com
16




60N3LH5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
STD60N3LH5, STP60N3LH5, STU60N3LH5
2 Electrical characteristics
(TCASE = 25 °C unless otherwise specified)
Table 4. Static
Symbol
Parameter
V(BR)DSS
Drain-source breakdown
Voltage
IDSS
IGSS
VGS(th)
Zero gate voltage drain
current (VGS = 0)
Gate body leakage current
(VDS = 0)
Gate threshold voltage
RDS(on)
Static drain-source on
resistance
Test conditions
ID = 250 µA, VGS= 0
VDS = 30 V
VDS = 30 V,Tc = 125 °C
VGS = ± 22 V
VDS= VGS, ID = 250 µA
VGS= 10 V, ID= 24 A
SMD version
VGS= 10 V, ID= 24 A
VGS= 5 V, ID= 24 A
SMD version
VGS= 5 V, ID= 24 A
Min. Typ. Max. Unit
30 V
1 µA
10 µA
±100 nA
1 1.8
3V
0.0072 0.008 Ω
0.0076 0.0084 Ω
0.0088 0.011 Ω
0.0092 0.0114 Ω
Table 5. Dynamic
Symbol
Parameter
Ciss
Coss
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Qgs1
Qgs2
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Pre Vth gate-to-source
charge
Post Vth gate-to-source
charge
RG Gate input resistance
Test conditions
VDS =25 V, f=1 MHz,
VGS=0
VDD=15 V, ID = 48 A
VGS =5 V
(Figure 14)
VDD=15 V, ID = 48 A
VGS =5 V
(Figure 19)
f=1 MHz gate bias
Bias= 0 test signal
level=20 mV
open drain
Min. Typ. Max. Unit
1350
pF
- 265 - pF
32 pF
8.8 nC
- 4.7 - nC
2.2 nC
2.2 nC
--
2.5 nC
- 1.1 - Ω
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60N3LH5 전자부품, 판매, 대치품
STD60N3LH5, STP60N3LH5, STU60N3LH5
Electrical characteristics
Figure 8. Gate charge vs gate-source voltage Figure 9. Capacitance variations
Figure 10. Normalized gate threshold voltage Figure 11. Normalized on resistance vs
vs temperature
temperature
Figure 12. Source-drain diode forward
characteristics
Doc ID 14079 Rev 3
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다운로드[ 60N3LH5.PDF 데이터시트 ]

STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 60N3LH5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.

60N3LH5의 기능 및 특징 중 하나는 "N-channel Power MOSFET" 입니다.

일반적으로, STMicroelectronics에서 제조되는 전자부품들은 우수한 성능과
품질에 대한 신뢰성을 갖추고 있습니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
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IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

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부품번호상세설명 및 기능제조사
60N3LH5

N-channel Power MOSFET

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