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Silicon NPN Power Transistor

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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD111
DESCRIPTION
·High Power Dissipation-
: PC= 100W@TC= 25℃
·High Current Capability-
: IC = 10A
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier , power switching ,DC-DC
converter and regulator applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
100 V
VCEO
VEBO
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
80 V
10 V
IC Collector Current-Continuous
10 A
IE Emitter Current-Continuous
IB Base Current-Continuous
-10 A
3A
PC
Collector Power Dissipation @TC=25℃
100
W
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
150 ℃
-65~150 ℃
isc website：www.iscsemi.cn
1

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부품번호	상세설명 및 기능	제조사
2SD110	Silicon NPN Power Transistor	Inchange Semiconductor Company
2SD1101	Silicon NPN Epitaxial	Hitachi Semiconductor

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