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FZT788 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 FZT788은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FZT788 자료 제공

부품번호 FZT788 기능
기능 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


FZT788 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FZT788 데이터시트, 핀배열, 회로
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
FEATURES
* Low equivalent on-resistance; RCE(sat) 93mat 3A
* Gain of 300 at IC=2 Amps and Very low saturation voltage
FZT788B
C
APPLICATIONS
* Battery powered circuits
COMPLEMENTAY TYPE – FZT688B
PARTMARKING DETAIL – FZT788B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
E
C
B
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
Collector-Emitter Voltage
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Peak Pulse Current
ICM
Continuous Collector Current
IC
Power Dissipation at Tamb=25°C
Ptot
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C)
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX.
-15
-15
-5
-8
-3
2
-55 to +150
V
V
V
A
A
W
°C
UNIT CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO
Emitter-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO
Collector Cut-Off Current
ICBO
Emitter Cut-Off Current
IEBO
Collector-Emitter Saturation
Voltage
VCE(sat)
-15
-15
-5
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Turn-On Voltage
Static Forward Current Transfer
Ratio
Transition Frequency
VBE(sat)
VBE(on)
hFE
fT
500
400
300
150
100
-0.1
-0.1
-0.15
-0.25
-0.45
-0.5
-0.9
V
V
V
µA
µA
V
V
V
V
-0.75
V
1500
MHz
Input Capacitance
Cibo 225 pF
Output Capacitance
Cobo
25 pF
Switching Times
ton 35 ns
toff 400 ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%
Spice parameter data is available upon request for this device
IC=-100µA
IC=-10mA*
IE=-100µA
VCB=-10V
VEB=-4V
IC=-0.5A, IB=-2.5mA*
IC=-1A, IB=-5mA*
IC=-2A, IB=-10mA*
IC=-3A, IB=-50mA*
IC=-1A, IB=-5mA*
IC=-1A, VCE=-2V*
IC=-10mA, VCE=-2V*
IC=-1A, VCE=-2V*
IC=-2A, VCE=-2V*
IC=-6A, VCE=-2V*
IC=-50mA, VCE=-5V
f=50MHz
VEB=-0.5V, f=1MHz
VCB=-10V, f=1MHz
IC=-500mA, IB1=-50mA
IB2=-50mA, VCC=-10V
3 - 244





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