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2MBI50N-060 데이터시트 PDF




ETC에서 제조한 전자 부품 2MBI50N-060은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2MBI50N-060 자료 제공

부품번호 2MBI50N-060 기능
기능 IGBT Module
제조업체 ETC
로고 ETC 로고


2MBI50N-060 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2MBI50N-060 데이터시트, 핀배열, 회로
2MBI50N-060
600V / 50A 2 in one-package
IGBT Module
Features
· High speed switching
· Voltage drive
· Low inductance module structure
Applications
· Inverter for Motor drive
· AC and DC Servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
· Industrial machines, such as Welding machines
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Collector-Emitter voltage
VCES
Gate-Emitter voltaga
VGES
Collector Continuous
IC
current 1ms
IC pulse
Continuous
-IC
1ms -IC pulse
Max. power dissipation
PC
Operating temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
Isolation voltage
Vis
Screw torque
Mounting *1
Terminals *1
*1 : Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m(M5)
Rating
600
±20
50
100
50
100
250
+150
-40 to +125
AC 2500 (1min.)
3.5
3.5
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m
N·m
Equivalent Circuit Schematic
C2E1
C1 E2
¤¤
G1 E1
G2
¤ Current control circuit
E2
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Zero gate voltage collector current
Gate-Emitter leakage current
Gate-Emitter threshold voltage
Collector-Emitter saturation voltage
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on time
Turn-off time
Diode forward on voltage
Reverse recovery time
ICES
IGES
VGE(th)
VCE(sat)
Cies
Coes
Cres
ton
tr
toff
tf
VF
trr
Characteristics
Min.
Typ.
––
––
4.5 –
––
– 3300
– 730
– 330
– 0.6
– 0.2
– 0.6
– 0.2
––
––
Max.
1.0
15
7.5
2.8
1.2
0.6
1.0
0.35
3.0
0.3
Conditions
VGE=0V, VCE=600V
VCE=0V, VGE=±20V
VCE=20V, IC=50mA
VGE=15V, IC=50A
VGE=0V
VCE=10V
f=1MHz
VCC=300V
IC=50A
VGE=±15V
RG=51 ohm
IF=50A, VGE=0V
IF=50A
Unit
mA
µA
V
V
pF
µs
V
µs
Thermal resistance characteristics
Item
Symbol
Characteristics
Conditions
Thermal resistance
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(c-f)*2
Min.
Typ.
0.05
Max.
0.5
1.33
IGBT
Diode
the base to cooling fin
*2 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound
Unit
°C/W
°C/W
°C/W




2MBI50N-060 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2MBI50N-060
Transient thermal resistance
1
0.1
0.001
0.01
0.1
Pulse width : PW [sec.]
IGBT Module
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage
Tj=25°C
10
1
0.1
1 0 5 10 15 20 25 30 35
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Outline Drawings, mm
mass : 180g

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