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BSD816SN 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 BSD816SN은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BSD816SN 자료 제공

부품번호 BSD816SN 기능
기능 Small-Signal-Transistor
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


BSD816SN 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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BSD816SN 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor
Features
• N-channel
• Enhancement mode
• Ultra Logic level (1.8V rated)
• Avalanche rated
• Qualified according to AEC Q101
• 100% lead-free; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSD816SN
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
VGS=2.5 V
VGS=1.8 V
20 V
160 mW
240
1.4 A
PG-SOT363
65 4
1
2
3
Type
Package
Tape and Reel Information
BSD816SN PG-SOT363 H6327: 3000 pcs/ reel
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current
ID
I D,pulse
T A=25 °C
T A=70 °C
T A=25 °C
Marking
XAs
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=1.4 A, R GS=25 W
Lead Free
Yes
Packing
Non dry
Value
1.4
1.1
5.6
3.7
Unit
A
mJ
Reverse diode dv /dt
dv /dt
I D=1.4 A, V DS=16 V,
di /dt =200 A/µs,
T j,max=150 °C
Gate source voltage
Power dissipation1)
Operating and storage temperature
ESD Class
V GS
P tot T A=25 °C
T j, T stg
JESD22-A114 -HBM
Soldering Temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
6
±8
0.5
-55 ... 150
0 (<250V)
260 °C
55/150/56
kV/µs
V
W
°C
Rev 2.5
page 1
2013-04-15




BSD816SN pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T A)
2 Drain current
I D=f(T A); V GS≥2.5 V
BSD816SN
0.5
0.375
1.5
1.25
1
0.25
0.125
0.75
0.5
0.25
0
0 40 80 120 160
TA [°C]
0
0 40 80 120
TA [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T A=25 °C; D =0
parameter: t p
4 Max. transient thermal impedance
Z thJA=f(t p)
parameter: D =t p/T
101
100
10-1
10 µs
100 µs
1 ms
1 µs
10 ms
DC
102 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
101
0.01
single pulse
10-2
100
160
10-3
10-2
Rev 2.5
10-1 100 101
VDS [V]
10-1
102 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101
tp [s]
page 4
2013-04-15

4페이지










BSD816SN 전자부품, 판매, 대치품
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 W
parameter: T j(start)
101
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=1.4 A pulsed
parameter: V DD
5
BSD816SN
4.5
4
3.5
3
10 V
100
25 °C
2.5
4V
125 °C
100 °C
2
16 V
1.5
1
0.5
10-1
100
101 102
tAV [µs]
0
103 0 0.25 0.5 0.75 1 1.25
Qgate [nC]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=250 µA
16 Gate charge waveforms
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
-60 -20 20
60 100 140
Tj [°C]
V GS
V gs(th)
Q g(th)
Q gs
Rev 2.5
page 7
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2013-04-15

7페이지


구       성 총 9 페이지수
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