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2N7002DW 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 2N7002DW은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2N7002DW 자료 제공

부품번호 2N7002DW 기능
기능 Small-Signal-Transistor
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


2N7002DW 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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2N7002DW 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOSSmall-Signal-Transistor
Features
• Dual N-channel
• Enhancement mode
• Logic level
• Avalanche rated
• Fast switching
• Qualified according to AEC Q101
• 100% lead-free; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
2N7002DW
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
VGS=10 V
VGS=4.5 V
60 V
3W
4
0.3 A
PG-SOT363
65
4
1
2
3
Type
Package Tape and Reel Information
2N7002DW PG-SOT363 H6327: 3000 pcs/reel
Marking
X8s
HalogenFree Packing
Yes Non Dry
Parameter 1)
Continuous drain current
Pulsed drain current
Symbol Conditions
I D T A=25 °C
T A=70 °C
I D,pulse T A=25 °C
Value
0.30
0.24
1.2
Unit
A
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=0.3 A, R GS=25 W
Reverse diode dv /dt
Gate source voltage
dv /dt
V GS
I D=0.3 A, V DS=48 V,
di /dt =200 A/µs,
T j,max=150 °C
ESD class
JESD22-A114 (HBM)
Power dissipation
P tot T A=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
1) Remark: one of both transistors in operation.
1.3 mJ
6
±20
class 0 (<250V)
0.5
-55 ... 150
55/150/56
kV/µs
V
W
°C
Rev.2.3
page 1
2014-09-19




2N7002DW pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T A)
2 Drain current
I D=f(T A); V GS≥10 V
2N7002DW
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 40 80
TA [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T A=25 °C; D =0
parameter: t p
101
120
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
160 0 40 80 120
TA [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJA=f(t p)
parameter: D =t p/T
103
limited by on-state
resistance
100
10-1
10-2
1 µs
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
DC
0.5
102
0.2
0.1 0.05
0.02
0.01
101
single pulse
160
10-3
1
Rev.2.3
10
VDS [V]
100
100 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103
tp [s]
page 4
2014-09-19

4페이지










2N7002DW 전자부품, 판매, 대치품
13Avalanche characteristics
I AS =f(t AV ); R GS =25 Ω
parameter: TJ(start)
100
10-1
10-2
125 °C
100 °C
25 °C
10-3
100 101 102
tAV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=250 µA
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=0.5 A pulsed
parameter: V DD
10
9
8
30 V
7
12 V
6 48 V
5
4
3
103 2
1
0
0 0.1 0.2 0.3
Qgate [nC]
2N7002DW
0.4 0.5
70
65
60
55
50
-40 0 40 80 120 160
Tj [°C]
Rev.2.3
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7페이지


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