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CM2N65F PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 CM2N65F
기능 POWER MOSFET
제조업체 Jingdao Electronic
로고 Jingdao Electronic 로고 


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CM2N65F 데이터시트, 핀배열, 회로
R
www.jdsemi.cn
深圳市晶导电子有限公司
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
CM2N65F
POWER MOSFET
650V N-Channel VDMOS
使用及贮存时需防静电
符合 RoHS 等环保指令要求
1.要用途
主要用于充电器、LED 驱动、PC 辅助
电源等各类功率开关电路
2.主要特点
开关速度快
通态电阻小,输入电容小
3.封装外形
TO-220FL
4.电特性
4.1 极限值
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
漏极-源极电压
连续漏极电流
漏极脉冲电流
栅极-源极电压
单脉冲雪崩能量
热阻(结到壳)
耗散功率(Ta=25)
结温
贮存温度
4.2 电参数
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
符号
漏源击穿电压
通态电阻
阈值电压
漏源漏电流
栅源漏电流
源漏二极管正向压降
关断延迟时间
BVDSS
RDSON*
VGSTH
IDSS
IGSS
VSD*
td(off)
输入电容
Ciss
* 脉冲测试 :tP300us, δ≤2%
L=10mHID=2ATJ= 25
1
2
1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S)
符号
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
RθJC
Ptot
Tj
Tstg
额定值
650
2.0
8.0
±30
80
5.21
24
150
-55150
单位
V
A
A
V
mJ
/W
W
测试条件
VGS=0VID=250μA
VGS=10VID=1A
VDS=VGSID=250μA
VDS=630VVGS=0V
VGS= ± 30V
IS=2AVGS=0V
VDD=300VID=2A
RG=18 ΩVGS=10V
VGS=0VVDS=25V
f=1.0MHZ
规范值
最小 典型 最大
650
3.6 4.3
24
25
±100
1.5
单位
V
Ω
V
μA
nA
V
33 ns
280 pF
地址:深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园 3 号厂房 电话:0755-29799516 传真:0755-29799515
1 2013






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