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부품번호 | PDQ2307 기능 |
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기능 | 20V P-Channel MOSFETs | ||
제조업체 | Potens semiconductor | ||
로고 | |||
20V P-Channel MOSFETs
PDQ2307
General Description
These P-Channel enhancement mode power field effect
transistors are using trench DMOS technology. This
advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are
well suited for high efficiency fast switching applications.
SOT23-6 Pin Configuration
DDS
G
D
D
G
D
S
S
BVDSS
-20V
RDSON
26mΩ
ID
-6.5A
Features
-20V,-6.5A,RDS(ON) =26mΩ@VGS=-4.5V
Improved dv/dt capability
Fast switching
Green Device Available
Suit for -1.8V Gate Drive Applications
Applications
Notebook
Load Switch
Networking
Absolute Maximum Ratings Tc=25℃ unless otherwise noted
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
PD
TSTG
TJ
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous (TC=25℃)
Drain Current – Continuous (TC=100℃)
Drain Current – Pulsed1
Power Dissipation (TC=25℃)
Power Dissipation – Derate above 25℃
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
Symbol
RθJA
Parameter
Thermal Resistance Junction to ambient
Rating
-20
±10
-6.5
-4.1
-26
1.56
0.012
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
Typ.
---
Max.
80
Unit
℃/W
Potens semiconductor corp.
1
Ver.1.00
20V P-Channel MOSFETs
-VDS
90%
PDQ2307
-VGS Td(on)
Tr
Ton
Td(off)
Tf
Toff
10%
Fig.7 Switching Time Waveform
Fig.8 Gate Charge Waveform
Potens semiconductor corp.
4
Ver.1.00
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PDQ2307 | 20V P-Channel MOSFETs | Potens semiconductor |
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