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2SB1229 데이터시트 PDF




ON Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SB1229은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2SB1229 자료 제공

부품번호 2SB1229 기능
기능 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
제조업체 ON Semiconductor
로고 ON Semiconductor 로고


2SB1229 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2SB1229 데이터시트, 핀배열, 회로
Ordering number : ENN2158A
2SB1229/2SD1835 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
Driver Applications
Applications
· Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers,
electrical equipment.
Features
· Adoption of FBET, MBIT processes.
· Large current capacity.
· Low collector-to-emitter saturation voltage.
· Fast switching time.
Package Dimensions
unit:mm
2003B
[2SB1229/2SD1835]
5.0
4.0 4.0
0.45
0.5
0.45 0.44
( ) : 2SB1229
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C
Conditions
Parameter
Symbol
Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
Cob
VCB=(–)50V, IE=0
VEB=(–)4V, IC=0
VCE=(–)2V, IC=(–)100mA
VCE=(–)2V, IC=(–)1.5A
VCE=(–)10V, IC=(–)50mA
VCB=(–)10V, f=1MHz
VCE(sat) IC=(–)1A, IB=(–)50mA
123
1.3 1.3
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : NP
Ratings
(–)60
(–)50
(–)6
(–)2
(–)3
0.75
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
˚C
˚C
Ratings
min typ max
Unit
(–)100 nA
(–)100 nA
100*
560*
40
150 MHz
12(22)
pF
0.15
0.4 V
(–0.3) (–0.7) V
Continued on next page.
© 2011, SCILLC. All rights reserved.
Jan-2011, Rev. 0
www.onsemi.com
Publication Order Number:
2SB1229_2SD1835/D




2SB1229 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SB1229/2SD1835
VCE(sat) -- IC
5
2SB1229
3
2
IC / IB=20
--1000
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
25°C
Ta=75°C
--25°C
--10
7 --0.01
2
3
Co5llec7to-r-0C.1urren2t,
3
IC
57
–A
--1.0
23
ITR09372
--10 VBE(sat) -- IC
2SB1229
7 IC / IB=20
5
VCE(sat) -- IC
5
2SD1835
3
2
IC / IB=20
1000
7
5
3
2
100
7
5
3 Ta=75°C
25°C
2
10
7 0.01
--25°C
2
3
Co5llec7tor0C.1urren2t,
3
IC
57
–A
1.0 2 3
ITR09373
10 VBE(sat) -- IC
2SD1835
7 IC / IB=20
5
33
22
--1.0 Ta= --25°C 25°C
7
5 75°C
3
7--0.01 2
5
3
ICP=3A
2 IC =2A
1.0
7
5
3
2
0.1
7
3
Co5llec7to--r0.C1 urren2 t,
3
IC
57
–A
--1.0
23
ITR09374
ASO
2SB1229 / 2SD1835
DC operation
5
3
2
Ta=25°C
0.01 Single pulse
7
5
(For PNP, minus sign is omitted.)
3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
2 3 5 7 100
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V ITR09376
1.0 Ta= --25°C 25°C
7
5 75°C
3
7 0.01
1000
2
3
Co5llec7tor0.C1 urren2t,
3
IC
57
–A
1.0
23
ITR09375
PC -- Ta
2SB1229 / 2SD1835
800
750
600
400
200
00 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta – ˚C ITR09377
Rev.0 I Page 4 of 5 I www.onsemi.com

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