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CEB15A03 PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 CEB15A03 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 CET
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CEB15A03 데이터시트, 핀배열, 회로
CEP15A03/CEB15A03
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRELIMINARY
FEATURES
30V, 190A, RDS(ON) = 4.5m@VGS = 10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-220 & TO-263 package.
D
D
G
S
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEP SERIES
TO-220
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDS 30
VGS ±20
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
ID 190
IDM 760
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
PD
200
1.3
Single Pulsed Avalanche Energy d
Single Pulsed Avalanche Current d
Operating and Store Temperature Range
EAS
IAS
TJ,Tstg
405
52
-55 to 175
Units
V
V
A
A
W
W/ C
mJ
A
C
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
0.75
62.5
Units
C/W
C/W
This is preliminary information on a new product in development now .
Details are subject to change without notice .
1
Rev 2. 2010.June
http://www.cet-mos.com




CEB15A03 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CEP15A03/CEB15A03
10 VDS=32V
ID=70A
8
6
4
2
0
0 30 60 90 120
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 7. Gate Charge
VDD
VIN RL
D VOUT
VGS
RGEN G
S
103 RDS(ON)Limit
102
101
100ms
1ms
10ms
DC
TC=25 C
TJ=175 C
100 Single Pulse
10-1
100
101
102
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Maximum Safe
Operating Area
td(on)
VOUT
t on
tr
td(off)
90%
10% INVERTED
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 9. Switching Test Circuit
Figure 10. Switching Waveforms
100
D=0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
10-2
10-2
10-1
100 101 102
Square Wave Pulse Duration (msec)
PDM
t1
t2
1. R JC (t)=r (t) * R JC
2. R JC=See Datasheet
3. TJM-TC = P* R JC (t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
103
104
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
4

4페이지












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