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CEB01N6G PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 CEB01N6G 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 CET
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CEB01N6G 데이터시트, 핀배열, 회로
CEP01N6G/CEB01N6G
CEF01N6G
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
Type
CEP01N6G
CEB01N6G
CEF01N6G
VDSS
600V
600V
600V
RDS(ON)
9.3Ω
9.3Ω
9.3Ω
ID @VGS
1A 10V
1A 10V
1A d 10V
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
D
DG
GS
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEP SERIES
TO-220
G
D
S
CEF SERIES
TO-220F
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
TO-220/263
TO-220F
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM e
PD
600
±30
1
4
41
0.33
1d
4d
27
0.22
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
3
62.5
4.5
65
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 1. 2009.July
http://www.cet-mos.com




CEB01N6G pdf, 반도체, 판매, 대치품
CEP01N6G/CEB01N6G
CEF01N6G
10 VDS=300V
ID=1A
8
6
4
2
0
0 1.5
3 4.5
6 7.5
9
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 7. Gate Charge
VDD
VIN RL
D VOUT
VGS
RGEN G
S
101
RDS(ON)Limit
100
100ms
1ms
10ms
DC
10-1
TC=25 C
TJ=150 C
10-2 Single Pulse
100 101 102 103
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Maximum Safe
Operating Area
td(on)
VOUT
t on
tr
td(off)
90%
10% INVERTED
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
4
Figure 9. Switching Test Circuit
Figure 10. Switching Waveforms
100
D=0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
10-2
10-2
10-1
100 101 102
Square Wave Pulse Duration (msec)
PDM
t1
t2
1. R JC (t)=r (t) * R JC
2. R JC=See Datasheet
3. TJM-TC = P* R JC (t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
103
104
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
4

4페이지












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