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RZE002P02 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RZE002P02은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RZE002P02 자료 제공

부품번호 RZE002P02 기능
기능 1.2V Drive Pch MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RZE002P02 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RZE002P02 데이터시트, 핀배열, 회로
1.2V Drive Pch MOSFET
RZE002P02
zStructure
Silicon P-channel MOSFET
zFeatures
1) High speed switching.
2) Small package (EMT3).
3) 1.2V drive.
zApplications
Switching
zPackage specifications
Package
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
RZE002P02
Taping
TL
3000
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Souce current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
1 Pw10µs, Duty cycle1%
2 Each terminal mounted on a recommended land
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP 1
IS
ISP 1
PD 2
Tch
Tstg
Limits
20
±10
±200
±800
100
800
150
150
55 to +150
zDimensions (Unit : mm)
EMT3
1.6
0.3
(3)
0.7
0.55
(2) (1)
0.2 0.2
0.5 0.5
1.0
0.15
(1)Source
(2)Gate
(3)Drain
Abbreviated symbol : YK
zInner circuit
(3)
2
(2)
1
(1)
1 ESD PROTECTION DIODE
2 BODY DIODE
(1) Source
(2) Gate
(3) Drain
Unit
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
zThermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Each terminal mounted on a recommended land
Symbol
Rth(ch-a)
Limits
833
Unit
°C/W
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/4
2009.06 - Rev.A




RZE002P02 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RZE002P02
1.0
VDS= -10V
Pulsed
Ta=-25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.1
0.01
0.1
1
DRAIN-CURRENT : -ID[A]
Fig.10 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
1
VGS=0V
Pulsed
0.1 Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
0.01
0
0.5 1 1.5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -VSD [V]
Fig.11 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
Data Sheet
5
Ta=25°C
Pulsed
4
ID= -0.2A
3
ID= -0.01A
2
1
0
0 2 4 6 8 10
GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V]
Fig.12 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
1000
100
td(off)
tf
Ta=25°C
VDD= -10V
VGS=-4.5V
RG=10
Pulsed
10
1
0.01
tr
td(on)
0.1
DRAIN-CURRENT : -ID[A]
Fig.13 Switching Characteristics
1
5
4
3
2
Ta=25°C
VDD= -10V
1 VGS=-0.2V
RG=10
Pulsed
0
0 0.5 1 1.5
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.14 Dynamic Input Characteristics
1000
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
100
Ciss
10
Coss
Crss
1
0.01 0.1 1 10 100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V]
Fig.15 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
zMeasurement circuit
VGS
ID
D.U.T.
RG
VDS
RL
VDD
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
VGS
IG(Const.)
RG
ID
D.U.T.
VDS
RL
VDD
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
Pulse Width
VGS 10%
50%
90% 50%
10%
10%
VDS
td(on)
90%
tr
ton
td(off)
90%
tf
toff
Fig.1-2 Switching Waveforms
VG
VGS
Qgs
Qg
Qgd
Charge
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
zNotice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/4
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