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RZF013P01 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RZF013P01은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RZF013P01 자료 제공

부품번호 RZF013P01 기능
기능 1.5V Drive Pch MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RZF013P01 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RZF013P01 데이터시트, 핀배열, 회로
1.5V Drive Pch MOSFET
RZF013P01
zStructure
Silicon P-channel MOSFET
zDimensions (Unit : mm)
TUMT3
SOT-323T
zFeatures
1) Low on-resistance.
2) High power package.
3) Low voltage drive. (1.5V)
zApplications
Switching
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Abbreviated symbol : XC
zEquivalent circuit
(3)
zPackaging specifications
Package
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
RZF013P01
Taping
TL
3000
(1) 2
1
(2)
1 ESD PROTECTION DIODE
2 BODY DIODE
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Drain-source voltage
VDSS
Gate-source voltage
VGSS
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
ID
IDP 1
IS 1
ISP
PD 2
Channel temperature
Tch
Range of Storage temperature
1 Pw10µs, Duty cycle1%
2 When mounted on a ceramic board
Tstg
Limits
12
±10
±1.3
±5.2
0.6
5.2
0.8
150
55 to +150
zThermal resistance
Parameter
Channel to ambient
When mounted on a ceramic board
Symbol
Rth(ch-a)
Limits
156
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
Unit
°C / W
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
2009.02 - Rev.A




RZF013P01 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RZF013P01
10
VGS=0V
Pulsed
1
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
0.01
0 0.5 1 1.5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -VSD [V]
Fig.10 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
Data Sheet
600
Ta=25°C
500 Pulsed
400 ID= -0.6A
300 ID= -1.3A
200
100
0
0 2 4 6 8 10
GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V]
Fig.11 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
1000
100
tf
td(off)
Ta=25°C
VDD= -6V
VGS= -4.5V
RG=10
Pulsed
10
1
0.01
tr
td(on)
0.1 1
10
DRAIN-CURRENT : -ID[A]
Fig.12 Switching Characteristics
5
4
3
2 Ta=25°C
VDD= -6V
1 ID= -1.3A
RG=10
Pulsed
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.13 Dynamic Input Characteristics
1000
100 Ciss
Coss
10
Crss
1
0.01
0.1
1
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
10 100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V]
Fig.14 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
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