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PDF Si6040 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | Si6040 | |
| Descripción | N-Channel Enhancement MOSFET | |
| Fabricantes | Nanxin | |
| Logotipo |  |
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Si6040
N-Channel Enhancement MOSFET
Si6040
Features
·Low On resistance.
·4.5V drive.
·RoHS compliant.
2,4
Package Dimensions
TO-252
1
3
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=250C
Parameter
Symbol
Drain-to-Source Voltage
VDSS
Gate-to-Source Voltage
VGSS
Drain Current (DC)
ID
Drain Current (Pulse)
IDP
Allowable Power Dissipation
PD
Total Dissipation
PT
Channel Temperature
Tch
Storage Temperature
Tstg
Conditions
PW≤10uS, duty cycle≤1%
Mounted on a ceramic board (1000mm2×0.8mm) 1unit
Mounted on a ceramic board (1000mm2×0.8mm)
Ratings
60
+20
12
25
40
40
150
-55~+150
Unit
V
V
A
A
W
W
0C
0C
Electrical Characteristics at Ta=250C
Parameter
Symbol
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Gate Threshold Voltage
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(ON)
RDS(ON)
Ciss
Coss
Crss
Conditions
ID=250uA, VGS=0V
VDS=60V, VGS=0V
VGS=+20V, VDS=0V
VDS= VGS, ID=250uA
ID=12A, VGS=10V
ID=7A, VGS=4.5V
VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz
VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz
VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz
Ratings
min typ max
60 66
-
- -1
- - +100
1 1.70 2.5
- 30 40
- 33 50
- 510 -
- 60 -
- 23 -
Unit
V
uA
nA
V
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
1
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| Si6040 | N-Channel Enhancement MOSFET | Nanxin |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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