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STPS30M60C 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STPS30M60C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STPS30M60C 자료 제공

부품번호 STPS30M60C 기능
기능 Power Schottky rectifier
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STPS30M60C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STPS30M60C 데이터시트, 핀배열, 회로
STPS30M60C
Power Schottky rectifier
Features
High current capability
Avalanche rated
Low forward voltage drop
High frequency operation
Description
The STPS30M60C is a dual diode Schottky
rectifier, suited for high frequency switch mode
power supply.
Packaged in TO-220AB, I2PAK and D2PAK, this
device is intended to be used in notebook, game
station and desktop adapters, providing in these
applications a good efficiency at both low and
high load.
Table 1. Device summary
Symbol
IF(AV)
VRRM
VF (typ)
Tj (max)
Value
2 x 15 A
60 V
0.380 V
150 °C
A1
A2
K
A2
K
A1
I2PAK
STPS30M60CR
K
K
K
A2
A1
D2PAK
STPS30M60CG-TR
A2
K
A1
TO-220AB
STPS30M60CT
Figure 1. Electrical characteristics(a)
VI
"Forward"
I
2 x IO
X
VRRM
VAR VR
IF
IO
IR
X
V
"Reverse"
VTo VF(Io) VF VF(2xIo)
IAR
November 2011
a. VARM and IARM must respect the reverse safe
operating area defined in Figure 12. VAR and IAR are
pulse measurements (tp < 1 µs). VR, IR, VRRM and VF,
are static characteristics
Doc ID 022020 Rev 1
1/10
www.st.com
10




STPS30M60C pdf, 반도체, 판매, 대치품
Characteristics
STPS30M60C
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward Figure 7.
current versus overload duration
(maximum values, per diode)
Relative thermal impedance
junction to case versus pulse
duration
240 IM(A)
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40 IM
20
0
1.E-03
t
δ = 0.5
1.E-02
1.E-01
Tc = 25 °C
Tc = 75 °C
Tc = 125 °C
t(s)
1.E+00
1.0 Zth(j-c)/Rth(j-c)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2 Single pulse
0.1
0.0
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
tp(s)
1.E+00
Figure 8.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied
(typical values, per diode)
1.E+02 IR(mA)
Tj = 150 °C
1.E+01
Tj = 125 °C
1.E+00
1.E-01
Tj = 100 °C
Tj = 75 °C
Tj = 50 °C
1.E-02
Tj = 25 °C
Figure 9.
C(pF)
10000
Junction capacitance versus
reverse voltage applied
(typical values, per diode)
F = 1 MHz
Vosc = 30 mVRMS
Tj = 25 °C
1000
1.E-03
0
VR(V)
100
10 20 30 40 50 60
1
VR(V)
10 100
Figure 10. Forward voltage drop versus
forward current (per diode)
1000.0 IFM(A)
100.0
Tj = 125 °C
(Maximum values)
Tj = 125 °C
(Typical values)
10.0
Tj = 25 °C
(Maximum values)
Figure 11. Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under tab
80 Rth(j-a)(°C/W)
epoxy printed board copper thickness = 35 µm
70
60 D2PAK
50
40
30
1.0 20
0.1 VFM(V)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
10
0
0
SCu(cm2)
5 10 15 20 25 30 35 40
4/10 Doc ID 022020 Rev 1

4페이지










STPS30M60C 전자부품, 판매, 대치품
STPS30M60C
Package information
Table 6. D2PAK dimensions
Dimensions
Ref. Millimeters
Inches
L2
L
L3
Min.
Max.
Min.
Max.
A 4.40 4.60 0.173 0.181
A
A1 2.49
2.69 0.098 0.106
E
C2
A2 0.03
0.23 0.001 0.009
B 0.70
D
B2 1.14
0.93 0.027 0.037
1.70 0.045 0.067
A1
B2
B
C
R
C 0.45
C2 1.23
D 8.95
0.60 0.017 0.024
1.36 0.048 0.054
9.35 0.352 0.368
G E 10.00 10.40 0.393 0.409
G 4.88
5.28 0.192 0.208
A2
L 15.00 15.85 0.590 0.624
M*
V2
* FLAT ZONE NO LESS THAN 2mm
L2
L3
M
1.27
1.40
2.40
1.40 0.050 0.055
1.75 0.055 0.069
3.20 0.094 0.126
R 0.40 typ.
0.016 typ.
V2 0° 8° 0° 8°
Figure 13. D2PAK footprint (dimensions in mm)
16.90
10.30
8.90
5.08
1.30
3.70
Doc ID 022020 Rev 1
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