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PG03FSESC 데이터시트 PDF




KEC에서 제조한 전자 부품 PG03FSESC은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PG03FSESC 자료 제공

부품번호 PG03FSESC 기능
기능 TVS Diode
제조업체 KEC
로고 KEC 로고


PG03FSESC 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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PG03FSESC 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
Protection in Portable Electronics Applications.
FEATURES
50 Watts peak pulse power (tp=8/20 s)
Transient protection for data lines to
IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact)
IEC 61000-4-4(EFT) 40A(tp=5/50ns)
IEC 61000-4-5(Lightning) 5A(tp=8/20 s)
Small package for use in portable electronics.
Suitable replacement for Multi-Layer Varistors in ESD
protection applications.
(* Multi-Layer Varistors [0402 Size])
Protects on I/O or power line.
Low clamping voltage.
Low leakage current.
APPLICATIONS
Cell phone handsets and accessories.
Microprocessor based equipment.
Personal digital assistants (PDA’s)
Notebooks, desktops, & servers.
Portable instrumentation.
Pagers peripherals.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Peak Pulse Power (tp=8/20 s)
Peak Pulse Current (tp=8/20 s)
Operating Temperature
Storage Temperature
PPK
IPP
Tj
Tstg
RATING
50
5
-55 150
-55 150
UNIT
W
A
PG03FSESC
Single Line TVS Diode for ESD
Protection in Portable Electronics
C
1
2
D
1. ANODE
2. CATHODE
E
F
DIM
A
B
C
D
E
F
MILLIMETERS
1.60+_ 0.10
1.20+_ 0.10
0.80+_ 0.10
0.30+_ 0.05
0.60+_ 0.10
0.13+_ 0.05
ESC
Marking
CATHODE MARK
21
3S
21
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage
VRWM
VBR
IR
VC
Junction Capacitance
CJ
TEST CONDITION
-
It=1mA
VRWM=3.3V
IPP=5A, tp=8/20 s
VR=0V, f=1MHz
MIN.
-
4.0
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
MAX.
3.3
-
20
10.9
100
UNIT
V
V
A
V
pF
2006. 11. 6
Revision No : 2
1/2





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다운로드[ PG03FSESC.PDF 데이터시트 ]

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