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PG12BUS23 데이터시트 PDF




KEC에서 제조한 전자 부품 PG12BUS23은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PG12BUS23 자료 제공

부품번호 PG12BUS23 기능
기능 TVS Diode
제조업체 KEC
로고 KEC 로고


PG12BUS23 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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PG12BUS23 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
Protection in Portable Electronics Applications.
FEATURES
300 Watts peak pulse power (tp=8/20 s)
Transient protection for high-speed data lines to
IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact)
IEC 61000-4-4(EFT) 40A(tp=5/50ns)
IEC 61000-4-5(Lightning) 15A(tp=8/20 s)
Standard SOT-23 Package.
Tow devices will protect one line.
Low capacitance-5pF.
Low clamping voltage.
ESD Protection>25kilovolts.
APPLICATIONS
Cellular Phone Handsets and Accessories.
Microprocessor based equipment.
Personal Digital Assistants (PDA s)
Notebooks, desktops PC, & servers.
High-Speed data lines.
Portable Instrumentation.
LAN/WAN equipment.
PG12BUS23
Low Capacitance TVS Diode for ESD
Protection in Portable Electronics
E
L BL
DIM MILLIMETERS
A 2.93+_ 0.20
B 1.30+0.20/-0.15
23
C 1.30 MAX
D 0.40+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
1 G 1.90
H 0.95
J 0.13+0.10/-0.05
K 0.00 ~ 0.10
Q
PP
L 0.55
M 0.20 MIN
N 1.00+0.20/-0.10
P7
Q 0.1 MAX
M
1. RECTIFLER
2. ZENER (TVS)
3. N.C.
SOT-23
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Peak Pulse Power (tp=8/20 s)
Peak Pulse Current (tp=8/20 s)
Operating Temperature
Storage Temperature
PPK
IPP
Tj
Tstg
RATING
300
15
-55 150
-55 150
UNIT
W
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Reverse Stand-Off Voltage
VRWM
Reverse Breakdown Voltage
VBR
Reverse Leakage Current
IR
Clamping Voltage
VC
Junction Capacitance
CJ
TEST CONDITION
-
It=1mA
VRWM=12V
IPP=15A, tp=8/20 s
VR=0V, f=1MHz (Pin 2 to 1)
MIN.
-
13.3
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
MAX.
12
-
1
25
5
UNIT
V
V
A
V
pF
2006. 11. 8
Revision No : 1
1/2





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