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CZT2680 데이터시트 PDF




Central Semiconductor에서 제조한 전자 부품 CZT2680은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CZT2680 자료 제공

부품번호 CZT2680 기능
기능 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
제조업체 Central Semiconductor
로고 Central Semiconductor 로고


CZT2680 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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CZT2680 데이터시트, 핀배열, 회로
CZT2680
SURFACE MOUNT
HIGH VOLTAGE
NPN SILICON
SWITCHING POWER TRANSISTOR
SOT-223 CASE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2680
NPN High Voltage Switching Power Transistor,
manufactured by the epitaxial planar process,
combines both power and high speed switching
characteristics in a SOT-223 Surface Mount Package.
Typical applications include drivers and general high
voltage switching applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ, Tstg
ΘJA
250
200
6.0
1.5
2.0
2.0
-65 to +150
62.5
UNITS
V
V
V
A
A
W
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN TYP
ICBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
ton
toff
VCB=200V
IC=100µA
250
IC=20mA
200
IE=100µA
6.0
IC=100mA, IB=10mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=1.0A, IB=150mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=1.0A, IB=150mA
VCE=5.0V, IC=20mA
40
VCE=5.0V, IC=500mA
40
VCE=5.0V, IC=1.0A
15
VCE=20V, IC=100mA, f=1.0MHz
50
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
IC=500mA, VCC=20V, IB1= IB2=50mA
IC=500mA, VCC=20V, IB1= IB2=50mA
435
275
9.0
45
95
135
0.83
0.95
105
90
47
80
0.3
1.0
MAX
100
150
200
500
1.10
1.20
UNITS
nA
V
V
V
mV
mV
mV
V
V
MHz
30 pF
µs
µs
R3 (1-March 2010)





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