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CEB02N6G 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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1 CEB02N6G   N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP02N6G/CEB02N6G CEF02N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP02N6G CEB02N6G CEF02N6G VDSS 600V 600V 600V RDS(ON) 5Ω 5Ω 5Ω ID 2.2A 2.2A 2.2A d @VGS 10V 10V 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON)

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관련 키워드 검색 결과 ( CEB02N6, 026 )

부품번호 상세설명 및 기능 제조사 PDF
CEB02N6A   N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP02N6A/CEB02N6A CEI02N6A/CEF02N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP02N6A CEB02N6A CEI02N6A CEF02N6A VDSS 650V 650V 650V 650V RDS(ON) 7.5Ω 7.5Ω 7.5Ω 7.5Ω ID 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A e @VGS 10V 10V 10V 10V D Super high dense cell design for e

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CEB02N6   N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

CEP02N6/CEB02N6 4 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25 C unless otherwise noted) Parameter DYNAMIC CHARACTERISTICS b Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Diode Forward Voltage CISS COSS CRSS a Symbol Condition Min Typ Max Unit 250 50 30 1.5 PF PF PF

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CEB02N65A   N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP02N65A CEB02N65A CEF02N65A VDSS 650V 650V 650V RDS(ON) 10.5Ω 10.5Ω 10.5Ω ID 1.3A 1.3A 1.3A d @VGS 10V 10V 10V CEP02N65A/CEB02N65A CEF02N65A PRELIMINARY Super high dense cell design for extremely low RDS(O

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CEB02N65G   N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP02N65G/CEB02N65G CEF02N65G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP02N65G CEB02N65G CEF02N65G VDSS 650V 650V 650V RDS(ON) 5.5Ω 5.5Ω 5.5Ω ID @VGS 2A 10V 2A 10V 2A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power an

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